[發(fā)明專利]基板處理設(shè)備、旋轉(zhuǎn)式固定座及基板處理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810325087.8
• 申請日: 2018-04-12
• 公開（公告）號: CN109727890B
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 戴郡良;范純祥;葉明熙;黃國彬
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/673;H01L21/683;H01L21/02
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

本發(fā)明一實施例提供一種基板處理設(shè)備，包括旋轉(zhuǎn)式固定座以及處理流體供給設(shè)備。旋轉(zhuǎn)式固定座包括多個承載件以及旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)。承載件耦接至旋轉(zhuǎn)式基座，承載件中的每一者包括銷，銷具有傾斜部，用以在基板的上緣及銷間提供一間隙。旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)用以轉(zhuǎn)動旋轉(zhuǎn)式基座。處理流體供給設(shè)備是設(shè)置在旋轉(zhuǎn)式固定座上。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實施例涉及一種基板處理設(shè)備、旋轉(zhuǎn)式固定座及基板處理方法，且特別關(guān)于一種用于干燥基板的設(shè)備及方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體集成電路(integrated circuit，IC)工業(yè)經(jīng)歷了快速成長。集成電路材料和設(shè)計的技術(shù)進步造成了裝置尺寸的縮放，其中減少了集成電路的幾何尺寸(例如減小的特征尺寸和間距)。舉例來說，孔洞、溝槽、間隙或其他向下延伸到基板或在基板上形成的一個或多個膜層中的特征的橫向尺寸持續(xù)縮小。先進的工藝技術(shù)允許這些有縮小的橫向尺寸的孔洞、溝槽或間隙越來越深地形成到基板中或在基板上形成的一個或多個膜層中。因此其深寬比持續(xù)增大。

集成電路的復(fù)雜性隨著幾何尺寸的減少而增加。隨著半導(dǎo)體工業(yè)已經(jīng)進入納米技術(shù)工藝節(jié)點，為了追求更高的裝置密度和更好的性能，已經(jīng)引入了如鰭式場效應(yīng)晶體管(fin field effect transistor，F(xiàn)inFET)裝置的三維設(shè)計。一種鰭式場效應(yīng)晶體管裝置制造成具有從基板的表面垂直延伸的多個鰭狀結(jié)構(gòu)。這些鰭狀結(jié)構(gòu)通過淺溝槽隔離(shallowtrench isolation，STI) 區(qū)彼此分離。每個鰭狀結(jié)構(gòu)具有源極/漏極區(qū)和在源極和漏極區(qū)之間形成的通道區(qū)。柵極是纏繞在每個鰭狀結(jié)構(gòu)的通道區(qū)周圍，從而允許優(yōu)選地控制來自通道區(qū)三側(cè)的電流。

特征的清潔和干燥用于制造先進的集成電路。舉例來說，清潔和干燥孔洞、溝槽和間隙的底部以去除不期望的殘留物或碎片。在某些情況下，用于清潔的濕溶劑可能無法完全流入和流出先進集成電路的特征。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明一實施例提供一種基板處理設(shè)備，包括旋轉(zhuǎn)式固定座以及處理流體供給設(shè)備。旋轉(zhuǎn)式固定座包括多個承載件以及旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)。承載件耦接至旋轉(zhuǎn)式基座，承載件中的每一者包括銷，銷具有傾斜部，用以在基板的上緣及銷間提供一間隙。旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)用以轉(zhuǎn)動旋轉(zhuǎn)式基座。處理流體供給設(shè)備是設(shè)置在旋轉(zhuǎn)式固定座上。

本發(fā)明另一實施例提供一種旋轉(zhuǎn)式固定座，用以處理一基板，包括：多個承載件、加熱器以及旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)。承載件耦接至旋轉(zhuǎn)式基座，承載件中的每一者包括銷，銷具有傾斜部，用以在基板的上緣及銷間提供間隙。旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)是耦接至旋轉(zhuǎn)式基座。

本發(fā)明又一實施例提供一種基板處理方法，包括以多個承載件在旋轉(zhuǎn)式固定座上承載基板，承載件中的每一者包括銷，銷具有傾斜部，用以在基板的上緣及銷間提供間隙；配送第一處理流體至基板上；以及配送第二處理流體至基板上。

附圖說明

以下將配合附圖詳述本發(fā)明的實施例。應(yīng)注意的是，依據(jù)在業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)做法，各種特征并未按照比例示出且僅用以說明例示。事實上，可能任意地放大或縮小元件的尺寸，以清楚地表現(xiàn)出本發(fā)明的特征。

圖1是根據(jù)一些實施例示出具有處理流體的基板的基板處理設(shè)備的一實施例的側(cè)視剖面圖。

圖2A和圖2B是根據(jù)一些實施例示出圖1的承載件的相應(yīng)側(cè)視剖面示意圖。

圖2C和圖2D是根據(jù)一些實施例示出圖1的另一承載件的相應(yīng)側(cè)視剖面示意圖。

圖3A和圖3B是根據(jù)一些實施例示出圖1及圖2A-圖2D的旋轉(zhuǎn)夾的俯視圖。

圖4是根據(jù)一些實施例示出用圖1的基板處理設(shè)備清潔和干燥基板的方法的流程圖。

圖5A-圖5C是根據(jù)一些實施例的圖1的基板處理設(shè)備的側(cè)面剖視示意圖，其示出清潔和干燥基板的方法。

圖6是根據(jù)一些實施例示出在其上形成有鰭式場效應(yīng)晶體管裝置的基板的局部立體圖。