[發明專利]一種單片集成在光電探測器上的金屬納米光天線在審
| 申請號： | 201810315088.4 | 申請日： | 2018-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN108445563A | 公開（公告）日： | 2018-08-24 |
| 發明（設計）人： | 姚鵬飛;李淘;李雪;邵秀梅;龔海梅 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | G02B5/00 | 分類號： | G02B5/00;G02B6/122 |
| 代理公司： | 上海滬慧律師事務所 31311 | 代理人： | 李秀蘭 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬納米 探測器 光電探測器 單片集成 低折射率 覆蓋層 光天線 金屬納米天線 光吸收性能 從上至下 量子效率 球體陣列 制備工藝 光散射 局域場 入射光 折射率 球體 襯底 制備 響應 | ||
【權利要求書】：
1.一種單片集成在光電探測器上的金屬納米光天線，由襯底(3)、金屬納米球體陣列(2)和低折射率覆蓋層(1)構成，其特征在于：
所述的金屬納米天線結構為：從襯底(3)自下而上依次是金屬納米球體陣列(2)、低折射率覆蓋層(1)；
所述金屬納米球體陣列(2)排列周期p是700-900納米，單個球體的直徑d是300-500納米，金屬納米球體陣列(2)的材料采用金、鋁或銀；
所述的低折射率覆蓋層(1)的折射率在1.3至2.3之間，厚度h是400-600納米，材料采用SiO2、Si3N4或者ZnS。
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