[發(fā)明專(zhuān)利]垂直存儲(chǔ)器中的浮動(dòng)?xùn)艠O存儲(chǔ)器單元

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810309077.5
• 申請(qǐng)日: 2014-03-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108461500B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 查爾斯·H·丹尼森;合田晃;約翰·霍普金斯;法蒂瑪·雅遜·席賽克-艾吉;克里希納·K·帕拉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/11556
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/11556;H01L27/11578
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本發(fā)明涉及垂直存儲(chǔ)器中的浮動(dòng)?xùn)艠O存儲(chǔ)器單元?？刂茤艠O形成于第一電介質(zhì)材料疊層與第二電介質(zhì)材料疊層之間。浮動(dòng)?xùn)艠O形成于所述第一電介質(zhì)材料疊層與所述第二電介質(zhì)材料疊層之間，其中所述浮動(dòng)?xùn)艠O包含朝向所述控制柵極延伸的突出部。電荷阻擋結(jié)構(gòu)形成于所述浮動(dòng)?xùn)艠O與所述控制柵極之間，其中所述電荷阻擋結(jié)構(gòu)的至少一部分包覆所述突出部。

分案申請(qǐng)信息

本發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2014年03月05日、申請(qǐng)?zhí)枮?01480024450.2、發(fā)明名稱(chēng)為“垂直存儲(chǔ)器中的浮動(dòng)?xùn)艠O存儲(chǔ)器單元”的發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)案的分案申請(qǐng)。

優(yōu)先權(quán)申請(qǐng)案

本申請(qǐng)案主張對(duì)2013年3月15日提出申請(qǐng)的第13/838,297號(hào)美國(guó)申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)權(quán)益，所述美國(guó)申請(qǐng)案以全文引用的方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)器單元，尤其涉及一種垂直存儲(chǔ)器中的浮動(dòng)?xùn)艠O存儲(chǔ)器單元。

背景技術(shù)

用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可通常劃分成兩種類(lèi)別：易失性存儲(chǔ)器裝置及非易失性存儲(chǔ)器裝置。易失性存儲(chǔ)器裝置在電力供應(yīng)器中斷時(shí)丟失其中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。相比來(lái)說(shuō)，非易失性存儲(chǔ)器裝置甚至在電力供應(yīng)器中斷時(shí)仍保留所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。因此，非易失性存儲(chǔ)器裝置(例如快閃存儲(chǔ)器裝置)廣泛用于其中電力可能中斷的應(yīng)用中。舉例來(lái)說(shuō)，電力可能不可用。例如，在移動(dòng)電話系統(tǒng)、用于存儲(chǔ)音樂(lè)及/或電影數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器卡中，可偶爾中斷電力或可規(guī)定較低電力消耗。隨著過(guò)程能力增加及小型化，甚至在快閃存儲(chǔ)器裝置中越來(lái)越需要較小大小的存儲(chǔ)器單元。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個(gè)方面涉及一種形成存儲(chǔ)器單元的方法，其包括：在垂直隔開(kāi)的第一電介質(zhì)層和第二電介質(zhì)層之間形成控制柵極層；形成延伸穿過(guò)所述第一電介質(zhì)層和所述第二電介質(zhì)層的開(kāi)口；在所述控制柵層中形成凹部，所述凹部至少部分地圍繞所述開(kāi)口延伸；在所述凹槽內(nèi)且鄰近于所述控制柵極形成電荷阻擋結(jié)構(gòu)，其中所述電荷阻擋結(jié)構(gòu)包括電介質(zhì)材料和阻擋材料；及在所述凹槽內(nèi)且在所述電荷阻擋結(jié)構(gòu)的與所述控制柵極相對(duì)的側(cè)上形成浮置柵極，其中所述浮置柵極的第一部分接觸所述第一電介質(zhì)層和第二電介質(zhì)層中的每一者接觸；其中所述阻擋材料的基本垂直部分位于所述控制柵極與所述浮置柵極之間；及其中所述電荷阻擋結(jié)構(gòu)的第一基本水平部分在所述第一電介質(zhì)材料層與所述浮置柵極的第二部分之間橫向地延伸，且其中所述電荷阻擋結(jié)構(gòu)的第二基本水平部分在所述第二層電介質(zhì)材料層和所述浮動(dòng)?xùn)艠O的第二部分之間橫向地延伸。

本發(fā)明的另一個(gè)方面涉及一種形成存儲(chǔ)器陣列的方法，其包括：形成垂直隔開(kāi)的多個(gè)電介質(zhì)層；形成在相應(yīng)的垂直相鄰電介質(zhì)層之間延伸的控制柵極層；形成垂直電荷存儲(chǔ)裝置串，所述垂直電荷存儲(chǔ)裝置串包括：形成延伸穿過(guò)所述多個(gè)電介質(zhì)層和多個(gè)控制柵極層的開(kāi)口；在所述控制柵極層中，形成至少部分地圍繞所述開(kāi)口延伸的凹部；在所述凹槽中，鄰近于所述控制柵極形成電荷阻擋結(jié)構(gòu)，其中所述電荷阻擋結(jié)構(gòu)包括電介質(zhì)材料和阻擋材料；及在所述凹槽內(nèi)，在所述電荷阻擋結(jié)構(gòu)的與所述控制柵極相對(duì)的側(cè)上形成浮置柵極，其中所述浮置柵極的第一部分接觸所述垂直相鄰電介質(zhì)層中的每一者；其中所述阻擋材料的基本垂直部分位于所述控制柵極與所述浮置柵極之間；及其中所述電荷阻擋結(jié)構(gòu)的第一基本水平部分在所述第一電介質(zhì)材料層與所述浮置柵極的第二部分之間橫向地延伸，且其中所述電荷阻擋結(jié)構(gòu)的第二基本水平部分在所述第二層電介質(zhì)材料層和浮動(dòng)?xùn)艠O的第二部分之間橫向地延伸；在所述開(kāi)口內(nèi)且位于所述浮動(dòng)?xùn)艠O的表面上方形成電介質(zhì)；及形成垂直延伸穿過(guò)所述多個(gè)電介質(zhì)層和所述多個(gè)控制柵極層的導(dǎo)電柱。