[發(fā)明專利]垂直存儲(chǔ)器中的浮動(dòng)?xùn)艠O存儲(chǔ)器單元

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810309077.5
• 申請(qǐng)日: 2014-03-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108461500B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 查爾斯·H·丹尼森;合田晃;約翰·霍普金斯;法蒂瑪·雅遜·席賽克-艾吉;克里希納·K·帕拉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): H01L27/11556
• 分類號(hào): H01L27/11556;H01L27/11578
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種形成存儲(chǔ)器單元的方法，其包括：

在垂直隔開(kāi)的第一電介質(zhì)層和第二電介質(zhì)層之間形成控制柵極層；

形成延伸穿過(guò)所述第一電介質(zhì)層和所述第二電介質(zhì)層的開(kāi)口；

在所述控制柵極層中形成凹部以限定控制柵極，所述凹部至少部分地圍繞所述開(kāi)口延伸；

在所述凹部?jī)?nèi)且鄰近于所述控制柵極形成電荷阻擋結(jié)構(gòu)，其中所述電荷阻擋結(jié)構(gòu)包括電介質(zhì)材料和阻擋材料；及

在所述凹部?jī)?nèi)且在所述電荷阻擋結(jié)構(gòu)的與所述控制柵極相對(duì)的側(cè)上形成浮動(dòng)?xùn)艠O，其中所述浮動(dòng)?xùn)艠O的第一部分接觸所述第一電介質(zhì)層和第二電介質(zhì)層中的每一者接觸；

其中所述阻擋材料的基本垂直部分位于所述控制柵極與所述浮動(dòng)?xùn)艠O之間；及

其中所述電荷阻擋結(jié)構(gòu)的第一基本水平部分在所述第一電介質(zhì)層與所述浮動(dòng)?xùn)艠O的第二部分之間橫向地延伸，且其中所述電荷阻擋結(jié)構(gòu)的第二基本水平部分在所述第二電介質(zhì)層和所述浮動(dòng)?xùn)艠O的第二部分之間橫向地延伸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述浮動(dòng)?xùn)艠O的所述第二部分包括從所述浮動(dòng)?xùn)艠O的所述第一部分并沿著所述控制柵極的方向上延伸的突出部，所述突出部具有比所述浮動(dòng)?xùn)艠O的所述第一部分小的垂直尺寸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述電荷阻擋結(jié)構(gòu)的所述基本垂直部分的厚度大于所述電荷阻擋結(jié)構(gòu)的所述第一基本水平部分的厚度，且大于所述電荷阻擋結(jié)構(gòu)的所述第二基本水平部分的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一電介質(zhì)層和所述第二電介質(zhì)層之間的所述浮動(dòng)?xùn)艠O的垂直尺寸基本上等于所述第一電介質(zhì)層和所述第二電介質(zhì)層之間的所述控制柵極的垂直尺寸。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述阻擋材料包括氮化物層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電荷阻擋結(jié)構(gòu)包括第一氧化物層和第二氧化物層。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述電荷阻擋結(jié)構(gòu)包括接觸所述控制柵極的第一氧化物和接觸所述浮動(dòng)?xùn)艠O的第二氧化物，且其中所述阻擋材料位于所述第一氧化物和所述第二氧化物之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述電荷阻擋結(jié)構(gòu)的至少一部分包覆所述突出部。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第二氧化物將所述氮化物層與所述浮動(dòng)?xùn)艠O的所述突出部完全分隔開(kāi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述浮動(dòng)?xùn)艠O與所述阻擋材料和所述第二氧化物接觸。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中包覆所述突出部的所述電荷阻擋結(jié)構(gòu)的所述部分包括所述阻擋材料的一部分。