[發明專利]一種N型磷化銦單晶的配方及其制備方法在審
| 申請號： | 201810306052.X | 申請日： | 2018-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN108265334A | 公開（公告）日： | 2018-07-10 |
| 發明（設計）人： | 文松;葛如松 | 申請（專利權）人： | 深圳市東一晶體技術有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/40 | 分類號： | C30B29/40;C30B11/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518100 廣東省深圳市龍華新區龍華街*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磷化銦單晶 制備 配方 制備技術領域 縱向溫度梯度 磷化銦晶體 三氧化二硼 殘余應力 電學參數 化學配比 體內徑向 溫度梯度 原料組份 多晶料 單質 紅磷 熱場 位錯 籽晶 | ||
1.一種N型磷化銦單晶的配方，其特征在于，包括以下原料組份；InP多晶料99.5克，單質錫0.1-0.5克，三氧化二硼32克，紅磷，InP籽晶。
2.根據權利要求1所述的一種N型磷化銦單晶的配方，其特征在于，所述InP多晶料經去離子水多次煮沸清洗，以去除表面的氧化物和殘余雜質。
3.根據權利要求1所述的一種N型磷化銦單晶的配方，其特征在于，所述三氧化二硼為高純脫水三氧化二硼，三氧化二硼含水量在500ppm量級。
4.根據權利要求1所述的一種N型磷化銦單晶的配方，其特征在于，所述紅磷純凈度為6N級。
5.根據權利要求1所述的一種N型磷化銦單晶的配方，其特征在于，所述單質錫純凈度為6N級。
6.根據權利要求1所述的一種N型磷化銦單晶的配方，其制備方法如下：
S1、取InP多晶料99.5克，單質錫0.1-0.5克，三氧化二硼32克，紅磷，InP籽晶裝入PBN坩堝，將PBN坩堝封入與PBN坩堝密合的石英容器中；
S2、對石英容器進行抽真空，并且加熱，壓力控制在2.7-3.5兆帕，溫度控制在1032-1090℃，并且保持時間120小時，得到位錯密度小于1000cm-2的N型磷化銦單晶。
7.根據權利要求6所述的一種N型磷化銦單晶的配方，其特征在于，所述PBN坩堝呈布氏漏斗形。
8.根據權利要求6所述的一種N型磷化銦單晶的配方，其特征在于，所述石英容器外設有加熱裝置，加熱裝置的加熱元件沿PBN坩堝錐體均勻分布。
9.根據權利要求7所述的一種N型磷化銦單晶的配方，其特征在于，所述PBN坩堝的錐形區相對于中心軸線的傾角θ等于或小于20度，且成梯度遞減。
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