[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光顯示面板、其制備方法和有機(jī)發(fā)光顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810291621.8 | 申請日: | 2018-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN108649133A | 公開(公告)日: | 2018-10-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡曉波 | 申請(專利權(quán))人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444 | 代理人: | 王剛;龔敏 |
| 地址: | 201201 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 柔性基板 封裝層 發(fā)光器件 第二電極 非顯示區(qū) 孔區(qū)域 顯示區(qū) 有機(jī)發(fā)光顯示面板 薄膜晶體管層 背離 無機(jī)層 有機(jī)發(fā)光顯示裝置 制備方法及裝置 有機(jī)封裝層 第一電極 發(fā)光層 平齊 制備 包圍 覆蓋 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示面板,其特征在于,包括:
柔性基板,所述柔性基板包含顯示區(qū)和孔區(qū)域,其中,所述顯示區(qū)包圍所述孔區(qū)域,在所述顯示區(qū)和所述孔區(qū)域之間包含第一非顯示區(qū);
薄膜晶體管層,設(shè)置在所述柔性基板上;
發(fā)光器件層,設(shè)置在所述薄膜晶體管層背離所述柔性基板的一側(cè),其中,所述發(fā)光器件層包含第一電極、發(fā)光層和第二電極;
封裝層,設(shè)置在所述發(fā)光器件層背離所述柔性基板的一側(cè),且,在所述發(fā)光器件層背離所述柔性基板的一側(cè)所述封裝層依次包含第一無機(jī)封裝層、第一有機(jī)封裝層,且所述第二電極和所述第一無機(jī)封裝層在所述第一非顯示區(qū)的邊界平齊;
無機(jī)層,所述無機(jī)層覆蓋所述第二電極和所述第一無機(jī)封裝層在所述第一非顯示區(qū)的邊界。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述封裝層包含設(shè)置在所述第一有機(jī)封裝層背離所述柔性基板一側(cè)的第二無機(jī)封裝層,所述無機(jī)層為所述第二無機(jī)封裝層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其特征在于,在所述柔性基板上,所述第一無機(jī)封裝層依次包含第一子無機(jī)封裝層和第二子無機(jī)封裝層,所述第二子無機(jī)封裝層的刻蝕速率小于所述第一子無機(jī)封裝層的刻蝕速率。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述第二子無機(jī)封裝層的刻蝕速率和所述第一子無機(jī)封裝層的刻蝕速率的比值小于1比2。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述第二子無機(jī)封裝層的材料包含氧化鋁或者氧化鐵,所述第一子無機(jī)封裝層的材料包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述第二子無機(jī)封裝層的厚度為30nm~300nm,所述第一子無機(jī)封裝層的厚度為0.5μm~2μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述第二子無機(jī)封裝層采用原子層沉積方式制備,所述第一子無機(jī)封裝層采用化學(xué)氣相沉積方式制備。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其特征在于,在所述第一有機(jī)封裝層背離所述柔性基板一側(cè)包含第二無機(jī)封裝層,所述第二無機(jī)封裝層和所述第二電極、所述第一無機(jī)封裝層在所述第一非顯示區(qū)的邊界平齊,所述無機(jī)層設(shè)置在所述第二無機(jī)封裝層背離所述柔性基板一側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述第二無機(jī)封裝層的刻蝕速率小于所述第一無機(jī)封裝層的刻蝕速率。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述第二無機(jī)封裝層的刻蝕速率和所述第一無機(jī)封裝層的刻蝕速率的比值小于1比2。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述第二無機(jī)封裝層的材料包含氧化鋁或者氧化鐵,所述第一無機(jī)封裝層的材料包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述第二無機(jī)封裝層的厚度為30nm~300nm,所述第一無機(jī)封裝層的厚度為0.5μm~2μm。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述第二無機(jī)封裝層采用原子層沉積方式制備,所述第一無機(jī)封裝層采用化學(xué)氣相沉積方式制備。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其特征在于,在所述第二無機(jī)封裝層和所述無機(jī)層之間包含第二有機(jī)層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其特征在于,在所述無機(jī)層背離所述柔性基板一側(cè)還包含觸控層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





