[發(fā)明專利]柔性顯示器件及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810291458.5 | 申請日: | 2018-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN108470738A | 公開(公告)日: | 2018-08-31 |
| 發(fā)明(設計)人: | 徐明樟;王玟婷;謝維容 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/683;H01L51/00 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;祁建國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性顯示器件 緩沖件 第一膜層 柔性基材 顯示元件 膜層 子像素區(qū)域 不連續(xù) 像素 沖擊力 耐沖擊能力 雙層柔性膜 復合柔性 結構分散 柔性膜層 重疊設置 形變 包覆 緩沖 基材 兩層 制作 | ||
本發(fā)明公開一種柔性顯示器件及其制作方法,該柔性顯示器件包含顯示元件組,該顯示元件組具有多個子像素,該柔性顯示器件還包含:柔性基材以及多個緩沖件。柔性基材包括第一膜層及第二膜層,第一膜層與第二膜層重疊設置;多個緩沖件設置于第一膜層與第二膜層之間,且多個緩沖件與多個子像素一一對應。本發(fā)明采用雙層柔性膜層包覆緩沖件的復合柔性基材的設計,且多個緩沖件不連續(xù)地設置于兩層柔性膜層之間,藉由緩沖件自身的形變以及不連續(xù)的結構分散柔性顯示器件所受到的沖擊力,為對應的子像素區(qū)域提供緩沖,增加每一子像素區(qū)域的耐沖擊能力,且可避免柔性顯示器件受到過大沖擊力時造成柔性基材與顯示元件組出現(xiàn)分離的現(xiàn)象。
技術領域
本發(fā)明涉及一種柔性顯示器件及其制作方法,尤其涉及一種耐沖擊能力強的柔性顯示器件及其制作方法。
背景技術
柔性顯示是下一代顯示技術的重要發(fā)展方向,該技術具有可彎曲、不易碎、超輕超薄、低功耗、便攜等特點,在電子書、移動通信、筆記本、電視機、公共信息等領域具有廣闊的應用及發(fā)展前景。目前柔性顯示器件的結構通常是于柔性基材上制作形成顯示元件組(例如,電極層、TFT矩陣、顯示器件)以及封裝層等。
現(xiàn)有技術中的柔性顯示器件,其柔性基材多為單層薄膜結構,緩沖能力有限,使得柔性顯示器件的耐沖擊能力較差。當柔性顯示器件受到較大力度的沖擊時,會出現(xiàn)因局部區(qū)域應力過大而使得制作于柔性基材上的元器件受損,影響柔性顯示器件的正常顯示,甚至會造成柔性基材與顯示元件組在交接處分離,從而導致柔性顯示器件損毀。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種柔性顯示器件及其制作方法,通過設置雙層柔性膜層包覆緩沖件的結構,增加柔性顯示器件的耐沖擊能力,以解決上述問題。
為了達到上述目的,本發(fā)明提供一種柔性顯示器件,包含顯示元件組,該顯示元件組具有多個子像素,該柔性顯示器件還包含:
柔性基材,包括第一膜層及第二膜層,該第一膜層與該第二膜層重疊設置;以及
多個緩沖件,該多個緩沖件設置于該第一膜層與該第二膜層之間,且該多個緩沖件與該多個子像素一一對應。
作為可選的技術方案,該多個緩沖件彼此間隔地設置于該第一膜層與該第二膜層之間。
作為可選的技術方案,每一緩沖件的尺寸大于每一子像素的尺寸。
作為可選的技術方案,每一子像素于第一方向上具有第一長度,定義為D1,每一緩沖件于該第一方向上具有第二長度,定義為D2,該第一長度與該第二長度滿足:0<D2-D1<30um。
作為可選的技術方案,該第一膜層與該第二膜層的厚度均為10um。
作為可選的技術方案,該多個緩沖件的厚度小于該第一膜層及該第二膜層的厚度。
作為可選的技術方案,該第一膜層及該第二膜層的材質為PI樹脂或改性PI樹脂。
作為可選的技術方案,該緩沖件的彈性模量<6.9GPa。
作為可選的技術方案,該緩沖件的阻尼系數(shù)>0.2。
此外,本發(fā)明還提供一種柔性顯示器件的制作方法,該制作方法包含:
步驟A,提供載板;
步驟B,于該載板上涂覆形成第一膜層;
步驟C,于該第一膜層上方形成緩沖涂層;
步驟D,圖案化該緩沖涂層,以形成多個不連續(xù)的緩沖件;
步驟E,于該多個不連續(xù)的緩沖件上方涂覆形成第二膜層;
步驟F,于該第二膜層上形成顯示元件組;以及
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





