[發明專利]新型電容式觸摸屏

在審

• 申請號: 201810277413.2
• 申請日: 2018-03-30
• 公開（公告）號: CN108536339A
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發明（設計）人: 翁啟山;林玉輝;鄭秋霞
• 申請（專利權）人: 福建科創光電有限公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種新型電容式觸摸屏，其包括基板、第一消影層和透明電極。其中，所述透明電極位于所述基板之上，所述第一消影層位于所述基板和所述透明電極之上。本發明通過在電容觸摸屏的基板上布置單層結構的具有增透功能的第一消影層，降低了透明電極蝕刻痕的反射光，并能提高光透過率，從而改善觸摸屏的視覺效果。

技術領域

本發明涉及電容感應觸摸屏，尤其涉及新型電容式觸摸屏。

背景技術

觸摸屏作為人機交互的一種，是一種透明的輸入系統，通過使用者手指觸摸觸控面板來實現操作。如今，隨著觸摸屏行業發展的越來越強大，人們對觸摸屏的追求也會更高。現有的觸摸屏一般包括基板和其上的透明電極，其中的透明電極通常為氧化銦錫ITO材料，通過生產工藝（例如蝕刻）處理氧化銦錫ITO膜層形成ITO透明電路圖案，但是蝕刻痕的存在影響了電容觸摸屏視覺效果。

為改善視覺效果，傳統的做法是在基板與ITO透明電極間加一層消影層。但隨著當今顯示技術的發展，人們對品質的要求也隨之增加，一些產品僅通過一層消影層已不能滿足人們對觸摸屏視覺效果的要求。

因此，本領域的技術人員致力于開發一種新型電容式觸摸屏，不但實現對蝕刻痕消影，并能提高電容觸摸屏的光透過率。

發明內容

為實現上述目的，本發明在一個較佳的實施例中，提供了一種新型電容式觸摸屏，其包括基板、第一消影層和透明電極，所述透明電極位于所述基板之上，所述第一消影層位于所述基板和所述透明電極之上。

進一步地，所述第一消影層的折射率n為1.7~2.2；所述第一消影層的厚度t=（2k+1）×λ/4n，其中， 波長λ=550nm，k為大于等于0的整數。

進一步地，厚度t的范圍為5~3300 nm。

進一步地，所述第一消影層的材料為水膠。

進一步地，所述電容觸摸屏還包括第二消影層，所述第二消影層位于所述基板和所述透明電極之間，并在所述第一消影層之下。

進一步地，所述第二消影層的折射率為1.7~2.2，厚度為3~500nm。

進一步地，所述消影層的材料為二氧化鈦、三氧化二鋁、五氧化二鈮、硫化鋅、三氧化二釔和二氧化鋯中的一個或多個。

本發明在其他較佳的實施例中，還提供了一種新型電容式觸摸屏，所述基板上具有二氧化硅層，所述第一消影層位于所述二氧化硅層和所述透明電極之上；所述第一消影層的折射率n為1.7~2.2，厚度t=（2k+1）×λ/4n，其中，波長λ=550nm，k為大于等于0的整數。

進一步地，所述二氧化硅層的厚度為3-50nm。

進一步地，厚度t的范圍為5~3300 nm。

進一步地，所述電容觸摸屏還包括第二消影層，所述第二消影層位于所述二氧化硅層和所述透明電極之間，并在所述第一消影層之下。

進一步地，所述第二消影層的折射率為1.7~2.2，厚度為3~500nm。

進一步地，所述透明電極層的材料是ITO、AZO、銀納米線、石墨烯、碳納米管中的一個或多個。

由此可見，本發明的增透的電容觸摸屏在其基板和透明電極之上具有一層單層結構的消影層（第一消影層），完全覆蓋了所述透明電極且填充透明電極的刻蝕痕，由于其折射率選取為與透明電極相當，從而能夠減小有刻蝕痕位置與透明電極之間的光透射率差值，其不但削弱了透明電極刻蝕痕對視覺的影響，并能夠增加電容觸摸屏的光透過率；另外，額外布置在基板和透明電極之上的消影層（第二消影層），達到進一步的消影作用。

以下將結合附圖對本發明的構思、具體結構及產生的技術效果作進一步說明，以充分地了解本發明的目的、特征和效果。