[發明專利]碳納米管陣列的表面修飾方法

有效

• 申請號: 201810276885.6
• 申請日: 2018-03-30
• 公開（公告）號: CN108314009B
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 鄧飛
• 申請（專利權）人: 烯灣科城（廣州）新材料有限公司
• 主分類號: C01B32/162
• 分類號: C01B32/162;C01B32/159;B82Y40/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 侯武嬌

1.一種碳納米管陣列的表面修飾方法，其特征在于，包括以下步驟：

在第一基底上沉積碳納米管陣列；

在第二基底上沉積高分子聚合物，所述高分子聚合物選自碳鏈高聚物；

將所述第一基底與所述第二基底放置于同一反應腔；及

在保護性氣體氛圍下，對所述第一基底及所述第二基底進行高能紫外光處理；所述高能紫外光的照射功率為15mW～35mW，所述高能紫外光為照射波長λ為150nm～350nm的單色窄帶光；

所述高能紫外光的照射波長λ通過以下公式計算：

λ₁＝Nhc/δ₁，λ₂＝Nhc/δ₂；

λ≤min{λ₁，λ₂}；

其中，N為阿伏伽德羅常數，h為普朗克常數，c為波長；δ₁為所述碳納米管陣列中C＝C鍵的鍵能，λ₁為使得所述碳納米管陣列中C＝C鍵斷裂時的紫外光照射波長；δ₂為所述高分子聚合物中C-C鍵或C＝C鍵的鍵能，λ₂為使得所述高分子聚合物中C-C鍵或C＝C鍵斷裂時的紫外光照射波長。

2.根據權利要求1所述的碳納米管陣列的表面修飾方法，其特征在于，所述在第一基底上沉積碳納米管陣列的步驟具體包括：

在所述第一基底上沉積催化劑層；及

在保護性氣體氛圍下，升溫至550℃～900℃后再通入碳源氣體反應得到所述碳納米管陣列；所述碳源氣體以氣體分壓計包括25％～40％的乙烯、1％～10％的氫氣及70％～80％的氮氣。

3.根據權利要求1所述的碳納米管陣列的表面修飾方法，其特征在于，所述碳納米管陣列的厚度為420μm～800μm，所述碳納米管陣列中碳納米管的直徑為2nm～9nm。

4.根據權利要求1所述的碳納米管陣列的表面修飾方法，其特征在于，所述碳鏈高聚物選自聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醋酸乙烯、聚乙烯及聚丙烯中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的碳納米管陣列的表面修飾方法，其特征在于，在所述第二基底上沉積的高分子聚合物的厚度為4mm～6mm。

6.根據權利要求1所述的碳納米管陣列的表面修飾方法，其特征在于，所述第一基底為硅片、鎳片或銅片；

及/或，所述第二基底為硅片、鎳片或銅片。

7.根據權利要求1所述的碳納米管陣列的表面修飾方法，其特征在于，所述第一基底與所述第二基底放置于同一水平面，且所述第一基底具有第一工作面，所述第二基底具有第二工作面，在所述第一基底上形成碳納米管陣列層，在所述第二基底上形成高分子層，所述碳納米管陣列層與所述高分子層在水平方向上形成不大于0.8mm的間隙。

8.根據權利要求1所述的碳納米管陣列的表面修飾方法，其特征在于，進行所述高能紫外光處理的時間為20min～50min。

9.根據權利要求1所述的碳納米管陣列的表面修飾方法，其特征在于，對所述第一基底及所述第二基底進行高能紫外光處理時，高能紫外光光源距離所述第一基底及所述第二基底的距離為2mm～20mm。

10.根據權利要求1所述的碳納米管陣列的表面修飾方法，其特征在于，所述在保護性氣體氛圍下，對所述第一基底及所述第二基底進行高能紫外光處理的步驟之后還包括步驟：將所述第一基底放置于保護性氣體氛圍下自然冷卻。