[發明專利]光阻涂覆性能的檢測方法

在審

• 申請號: 201810272335.7
• 申請日: 2018-03-29
• 公開（公告）號: CN108508014A
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 李華青;劉智敏
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: G01N21/84
• 分類號: G01N21/84;G01N21/88;G01N21/956
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

本發明提供了一種光阻涂覆性能的檢測方法，將涂覆了光阻的襯底放置進光刻機中，所述光刻機的對準系統檢測所述圖形的灰階度，得到所述圖形的灰階度波形，再對所述灰階度波形進行一階求導，以得到所述灰階度波形的一階倒數波形，再通過所述一階倒數波形能夠得到所述襯底的對比度，所述襯底的對比度能夠整體反應出所述襯底上涂覆的光阻的好壞，進而判斷所述襯底上涂覆的光阻是否合格，由于所述圖形的灰階度是由所述光刻機提供的，而在所述襯底上涂覆光阻后必然是需要通過所述光刻機進行曝光的，在不增加工藝流程及時間的基礎上，能夠及時的檢測出所述襯底上涂覆的光阻是否有缺陷，進而避免了產品報廢，提高了器件的良率。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種光阻涂覆性能的檢測方法。

背景技術

在半導體微影制程中，通常需要在襯底的表面涂覆上一層光阻，然后通過顯影、曝光等工藝以將掩膜板上的圖形轉移到襯底上去，或者在后續工藝過程(刻蝕或離子注入)中保護所述光阻下面的材料，現有技術中通常采用涂膠顯影機臺(Track)在所述襯底上涂覆一層光阻，但由于涂膠顯影機臺的相關組件產生了誤差或者所述光阻的材料有缺陷會導致涂層缺陷(Poor Coating)，所述涂層缺陷具體表現為所述襯底表面的一部分沒有涂覆上光阻，或者涂覆的光阻太薄。

現有的檢測光阻涂覆性能好壞的方法是抽樣檢查所述襯底上涂覆的光阻是否有涂層缺陷，這種檢測光阻涂覆性能好壞的方法的準確率受抽樣率的影響，極易產生漏檢的情況，并且具有延時性，不能及時發現具有涂層缺陷的光阻，導致產品報廢，使器件的良率降低，制造成本升高。

發明內容

本發明的目的在于提供一種光阻涂覆性能的檢測方法，以解決現有技術無法準確而及時的發現襯底上涂覆的光阻是否合格等問題。

為了達到上述目的，本發明提供了一種光阻涂覆性能的檢測方法，所述光阻涂覆性能的檢測方法包括：

提供襯底，所述襯底上涂覆有光阻，所述襯底中形成有圖形；

將所述襯底放置進光刻機中，所述光刻機的對準系統檢測所述圖形的灰階度，得到所述圖形的灰階度波形；

對所述灰階度波形進行一階求導，以獲取所述灰階度波形的一階倒數波形；

根據所述一階倒數波形得到所述襯底的對比度，通過比較所述襯底的對比度與一閾值的大小以判斷所述襯底上涂覆的光阻是否合格。

可選的，根據所述一階倒數波形得到所述襯底的對比度的方法包括：

獲取所述一階倒數波形中每個峰的波峰值及波谷值；

根據所述波峰值及波谷值得到所述每個峰的對比度；

獲取所述一階倒數波形中所有峰的對比度的平均值，得到所述襯底的對比度。

可選的，根據所述波峰值及波谷值得到所述每個峰的對比度的公式如下：

C_i＝(Imax-Imin)/(Imax+Imin)；

其中，C_i為第i個峰的對比度，i為大于0的整數，Imax為第i個峰的波峰值，Imin為第i個峰的波谷值。

可選的，當所述襯底的對比度小于所述閾值時，所述襯底上涂覆的光阻合格；當所述襯底的對比度大于等于所述閾值時，所述襯底上涂覆的光阻不合格。

可選的，采用旋涂工藝在所述襯底上形成所述光阻。

可選的，所述圖形為形成于所述襯底中的對準標記。

可選的，所述對準標記的數量為多個，并且，所述對準標記的數量為所述一階倒數波形中波峰值數量的一半。

可選的，所述對準標記的形狀為十字形或長條形。