[發(fā)明專利]感光元件及其制造方法、顯示面板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810266890.9
• 申請日: 2018-03-28
• 公開（公告）號: CN108470783B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 任慶榮;孫建明;劉英偉
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/032
• 分類號: H01L31/032;H01L31/105;H01L31/18;H01L27/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云

一種感光元件及其制造方法、顯示面板及其制造方法，所述感光元件包括依次層疊設(shè)置的第一薄膜層、第二薄膜層和第三薄膜層，所述第一薄膜層為P型銅銦鎵硒(CIGS)層，所述第二薄膜層為本征CIGS層，所述第三薄膜層為N型薄膜層，由此所述第一薄膜層、所述第二薄膜層和所述第三薄膜層構(gòu)成PIN結(jié)構(gòu)。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的實施例涉及一種感光元件及其制造方法、顯示面板及其制造方法。

背景技術(shù)

銅銦鎵硒(CIGS)材料因高吸收率和高轉(zhuǎn)換率在諸如薄膜太陽能電池等感光元件中有廣泛應(yīng)用。如何進一步提高光吸收率和感光靈敏度，是本領(lǐng)域備受關(guān)注的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的至少一個實施例提供一種感光元件，包括依次層疊設(shè)置的第一薄膜層、第二薄膜層和第三薄膜層，所述第一薄膜層為P型銅銦鎵硒(CIGS)層，所述第二薄膜層為本征CIGS層，所述第三薄膜層為N型薄膜層，由此所述第一薄膜層、所述第二薄膜層和所述第三薄膜層構(gòu)成PIN結(jié)構(gòu)。

例如，所述感光元件還包括位于所述第一薄膜層一側(cè)的第一電極層，所述第一薄膜層覆蓋所述第一電極層，且所述第一電極層為銅電極層。

例如，所述第一薄膜層與所述第一電極層圖案相同。

例如，所述第一薄膜層的銅含量比所述第二薄膜層高。

例如，所述第三薄膜層為N型銅銦鎵硒(CIGS)層。

例如，所述第三薄膜層為N型ZnO薄膜。

例如，所述的感光元件還包括位于所述第二薄膜層和所述第三薄膜層之間的CdS緩沖層。

本公開的至少一個實施例還提供一種顯示面板，該顯示面板包括上述感光元件。

例如，所述顯示面板還包括與所述感光元件連接的開關(guān)晶體管，所述開關(guān)晶體管包括源漏電極層，其中，當所述感光元件還包括設(shè)置于所述第一薄膜層一側(cè)的第一電極層的情形，所述源漏電極層充當所述感光元件的第一電極層。

本公開的至少一個實施例還提供一種感光元件的制造方法，包括：依次形成層疊的第一薄膜層、第二薄膜層和第三薄膜層。所述第一薄膜層為P型銅銦鎵硒(CIGS)層，所述第二薄膜層為本征CIGS層，所述第三薄膜層為N型層，所述第一薄膜層、所述第二薄膜層和所述第三薄膜層構(gòu)成PIN結(jié)構(gòu)。

例如，所述制造方法還包括形成第一電極層，所述第一薄膜層、第二薄膜層和第三薄膜層依次形成與所述第一電極層上，所述第一電極層的材料為銅，所述形成第一薄膜層包括對所述第一薄膜層進行退火，使得所述第一電極層中的銅元素擴散至所述第一薄膜層中以使所述第一薄膜層為P型。

例如，所述第一電極層和所述第一薄膜層連續(xù)形成并具有相同的圖案。

例如，所述第三薄膜層為N型銅銦鎵硒(CIGS)層或N型ZnO層。

本公開的至少一個實施例還提供一種感光元件的制造方法，包括：形成源漏電極層；在所述源漏電極層上依次形成第一薄膜層、第二薄膜層和第三薄膜層。所述第一薄膜層為P型銅銦鎵硒(CIGS)層，所述第二薄膜層為本征CIGS層，所述第三薄膜層為N型層，由此所述第一薄膜層、所述第二薄膜層和所述第三薄膜層構(gòu)成PIN結(jié)構(gòu)。

例如，所述源漏電極層和所述第一薄膜層連續(xù)形成并具有相同的圖案。

附圖說明

為了更清楚地說明本公開實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開的一些實施例，而非對本公開的限制。

圖1為本公開一實施例提供的感光元件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本公開又一實施例提供的感光元件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；