[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置封裝及制造半導(dǎo)體裝置封裝的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810262362.6 | 申請(qǐng)日： | 2018-03-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN109841582A | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-06-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳燦賢;胡逸群;楊金鳳;陳世偉;許惠珍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/373 | 分類號(hào)： | H01L23/373;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣高雄市楠梓*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電子組件 散熱器 熱傳導(dǎo)結(jié)構(gòu) 接合線 襯底 半導(dǎo)體裝置 安置 聚合物層 熱傳導(dǎo)層 密封劑 封裝 半導(dǎo)體封裝裝置 傳導(dǎo)層 覆蓋 制造 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝裝置，其包括：
襯底；
電子組件，其安置于所述襯底上；
接合線，其將所述電子組件連接到所述襯底；
散熱器，其安置于所述電子組件之上；以及
熱傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其安置于所述散熱器與所述電子組件之間，所述熱傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)包括：
兩個(gè)聚合物層；及
熱傳導(dǎo)層，其安置于所述兩個(gè)聚合物層之間，所述熱傳導(dǎo)層具有與所述電子組件接觸的第一末端及與所述散熱器接觸的第二末端；及
密封劑，其覆蓋所述接合線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述熱傳導(dǎo)層具有被所述兩個(gè)聚合物層包圍且與所述兩個(gè)聚合物層接觸的側(cè)壁，且所述第一末端或所述第二末端的熱導(dǎo)率大于所述側(cè)壁的熱導(dǎo)率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述密封劑暴露所述電子組件的一部分，且所述熱傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)安置于從所述密封劑暴露的所述電子組件的所述部分上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述密封劑與所述熱傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)隔開(kāi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述密封劑的一部分與所述熱傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述電子組件具有面朝向所述熱傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的有源表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述密封劑與所述散熱器隔開(kāi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述熱傳導(dǎo)層包含石墨烯。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述聚合物層包含硅酮材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述密封劑包含環(huán)氧樹脂。
11.一種半導(dǎo)體封裝裝置，其包括：
襯底；
電子組件，其安置于所述襯底上；
接合線，其將所述電子組件連接到所述襯底；
熱傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其安置于所述電子組件上；
散熱器，其安置于所述熱傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)上且與所述熱傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)接觸；以及
密封劑，其覆蓋所述接合線且與所述散熱器隔開(kāi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述熱傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)包括：
兩個(gè)聚合物層；及
熱傳導(dǎo)層，其安置于所述兩個(gè)聚合物層之間，所述熱傳導(dǎo)層具有與所述電子組件接觸的第一末端及與所述散熱器接觸的第二末端。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述熱傳導(dǎo)層具有被所述兩個(gè)聚合物層包圍且與所述兩個(gè)聚合物層接觸的側(cè)壁，且所述第一末端或所述第二末端的熱導(dǎo)率大于所述側(cè)壁的熱導(dǎo)率。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述密封劑暴露所述電子組件的一部分，且所述熱傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)安置于所述電子組件的所述經(jīng)暴露部分上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述密封劑與所述熱傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)隔開(kāi)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述密封劑的一部分與所述熱傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)接觸。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述電子組件具有面朝向所述熱傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的有源表面。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述熱傳導(dǎo)層包含石墨烯。
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