[發(fā)明專(zhuān)利]一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810257932.2
• 申請(qǐng)日: 2018-03-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110311026A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱仕宇
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 白金光學(xué)科技（蘇州）有限公司;白金科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/50
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/50;H01L33/00
• 代理公司: 北京國(guó)昊天誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇;李有財(cái)

本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括發(fā)光二極管及熒光玻璃，發(fā)光二極管具有N型電極及P型電極；熒光玻璃設(shè)置于發(fā)光二極管，并與N型電極及P型電極相對(duì)；其中熒光玻璃的材料包括玻璃粉及至少一種熒光粉，玻璃粉的玻璃轉(zhuǎn)移溫度介于300攝氏度與1000攝氏度間。本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的熒光玻璃直接與發(fā)光二極管的N型半導(dǎo)體層或P型半導(dǎo)體層直接接合，不用通過(guò)膠體接合，如此本申請(qǐng)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)不會(huì)因高溫而產(chǎn)生老化的問(wèn)題，進(jìn)而提升發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率及品質(zhì)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)

白光發(fā)光二極管是21世紀(jì)最具有發(fā)展前景的高新技術(shù)領(lǐng)域之一，并為第四代照明光源。發(fā)光二極管具有固體化、體積小、發(fā)熱量低、耗電量小、壽命長(zhǎng)、反應(yīng)速度快和環(huán)保(耐震、耐沖擊不易破、廢棄物可回收、無(wú)污染)等優(yōu)點(diǎn)，并廣泛應(yīng)用于通用照明和背光源等領(lǐng)域。由于白光發(fā)光二極管符合綠色照明工程節(jié)能與環(huán)保的要求，未來(lái)將產(chǎn)生巨大節(jié)能和環(huán)保效果。

目前大部分的白光發(fā)光二極管主要采取選用熒光粉等具有波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換物質(zhì),搭配有機(jī)高分子材料(例如有機(jī)還氧樹(shù)酯(epoxy)或硅膠),經(jīng)由攪拌混合脫泡后,形成混有熒光粉的高分子膠體材料。混有熒光粉的高分子膠體材料覆蓋在藍(lán)光發(fā)光二極管上,再經(jīng)由烘烤完成形成白光二極管。隨著白光照明應(yīng)用的普及,為了追求亮度的提升,因此不斷增加白光二極管的功率,但也因此增加白光二極管于使用中所產(chǎn)生的熱能。白光二極管所產(chǎn)生的大量熱能影響其高分子膠體材料，因?yàn)楦叻肿幽z體材料對(duì)于溫度的可耐受性不佳,容易隨著長(zhǎng)時(shí)間處于高溫狀態(tài)下,導(dǎo)致高分子膠體材料迅速老化,進(jìn)而影響藍(lán)光發(fā)光二極管的發(fā)光效率,導(dǎo)致白光二極管發(fā)生亮度損失,色溫飄移等品質(zhì)不穩(wěn)定的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本申請(qǐng)的目的是提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)揭示了一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：發(fā)光二極管，其具有N型電極及P型電極；以及熒光玻璃，其設(shè)置于所述發(fā)光二極管，并與所述N型電極及P型電極相對(duì)；其中所述熒光玻璃的材料包括玻璃粉及至少一種熒光粉，所述玻璃粉的玻璃轉(zhuǎn)移溫度介于300攝氏度與1000攝氏度間。

根據(jù)本申請(qǐng)的一實(shí)施方式，上述發(fā)光二極管還包括：P型半導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述熒光玻璃；發(fā)光層，其設(shè)置于所述P型半導(dǎo)體層；以及N型半導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述發(fā)光層，所述P型半導(dǎo)體層從所述發(fā)光層及P型半導(dǎo)體層露出，所述N型電極設(shè)置于所述N型半導(dǎo)體層，所述P型電極設(shè)置于所述P型半導(dǎo)體層。

根據(jù)本申請(qǐng)的一實(shí)施方式，上述發(fā)光二極管還包括保護(hù)層，所述保護(hù)層包覆所述N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層、N型電極及P型電極的側(cè)表面及覆蓋所述N型半導(dǎo)體層的表面。根據(jù)本申請(qǐng)的一實(shí)施方式，上述發(fā)光二極管還包括：N型半導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述熒光玻璃；發(fā)光層，其設(shè)置于所述N型半導(dǎo)體層；以及P型半導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述發(fā)光層，所述N型半導(dǎo)體層從所述發(fā)光層及P型半導(dǎo)體層露出，所述P型電極設(shè)置于所述P型半導(dǎo)體層，所述N型電極設(shè)置于所述N型半導(dǎo)體層。根據(jù)本申請(qǐng)的一實(shí)施方式，上述發(fā)光二極管還包括保護(hù)層，所述保護(hù)層包覆所述N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層、N型電極及P型電極的側(cè)表面及覆蓋所述P型半導(dǎo)體層的表面。根據(jù)本申請(qǐng)的一實(shí)施方式，上述發(fā)光二極管還包括反射層，所述反射層設(shè)置于所述保護(hù)層。

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括：形成所述N型半導(dǎo)體層于基板；形成所述發(fā)光層于所述N型半導(dǎo)體層；形成所述P型半導(dǎo)體層于所述發(fā)光層；移除所述基板；設(shè)置所述熒光玻璃于所述P型半導(dǎo)體層；加熱所述熒光玻璃，并使所述熒光玻璃為半融狀態(tài)，且與所述P型半導(dǎo)體層接合；蝕刻所述N型半導(dǎo)體層及發(fā)光層，并裸露所述P型半導(dǎo)體層；以及分別設(shè)置所述P型電極及N型電極于所述P型半導(dǎo)體層及N型半導(dǎo)體層。