[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810257932.2 | 申請日： | 2018-03-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110311026A | 公開（公告）日： | 2019-10-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 邱仕宇 | 申請（專利權(quán)）人： | 白金光學(xué)科技（蘇州）有限公司;白金科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/50 | 分類號(hào)： | H01L33/50;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京國昊天誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315 | 代理人： | 許志勇;李有財(cái) |
| 地址： | 215004 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu) 發(fā)光二極管 熒光玻璃 玻璃粉 熒光粉 玻璃轉(zhuǎn)移 發(fā)光效率 直接接合 接合 申請 老化 制造 | ||
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
發(fā)光二極管，其具有N型電極及P型電極；以及
熒光玻璃，其設(shè)置于所述發(fā)光二極管，并與所述N型電極及P型電極相對；
其中所述熒光玻璃的材料包括玻璃粉及至少一種熒光粉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括：
P型半導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述熒光玻璃；
發(fā)光層，其設(shè)置于所述P型半導(dǎo)體層；以及
N型半導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述發(fā)光層，所述P型半導(dǎo)體層從所述發(fā)光層及N型半導(dǎo)體層露出，所述N型電極設(shè)置于所述N型半導(dǎo)體層，所述P型電極設(shè)置于所述P型半導(dǎo)體層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括保護(hù)層，所述保護(hù)層包覆所述N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層、N型電極及P型電極的側(cè)表面及覆蓋所述N型半導(dǎo)體層的表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括：
N型半導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述螢光玻璃；
發(fā)光層，其設(shè)置于所述N型半導(dǎo)體層；以及
P型半導(dǎo)體層，其設(shè)置于所述發(fā)光層，所述N型半導(dǎo)體層從所述發(fā)光層及P型半導(dǎo)體層露出，所述P型電極設(shè)置于所述P型半導(dǎo)體層，所述N型電極設(shè)置于所述N型半導(dǎo)體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括保護(hù)層，所述保護(hù)層包覆所述N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層、N型電極及P型電極的側(cè)表面及覆蓋所述P型半導(dǎo)體層的表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述發(fā)光二極管還包括反射層，所述反射層設(shè)置于所述保護(hù)層。
7.一種如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其包括：
形成所述N型半導(dǎo)體層于基板；
形成所述發(fā)光層于所述N型半導(dǎo)體層；
形成所述P型半導(dǎo)體層于所述發(fā)光層；
移除所述基板；
設(shè)置所述螢光玻璃于所述P型半導(dǎo)體層；
加熱所述螢光玻璃，并使所述螢光玻璃為半融狀態(tài)，且與所述P型半導(dǎo)體層接合；
蝕刻所述N型半導(dǎo)體層及發(fā)光層，并裸露所述P型半導(dǎo)體層；以及
分別設(shè)置所述P型電極及N型電極于所述P型半導(dǎo)體層及N型半導(dǎo)體層。
8.一種如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其包括：
形成所述N型半導(dǎo)體層于基板；
形成所述發(fā)光層于所述N型半導(dǎo)體層；
形成所述P型半導(dǎo)體層于所述發(fā)光層；
設(shè)置轉(zhuǎn)移基板于所述P型半導(dǎo)體層；
移除所述基板；
設(shè)置所述螢光玻璃于所述N型半導(dǎo)體層；
加熱所述螢光玻璃，并使所述螢光玻璃為半融狀態(tài)，且與所述N型半導(dǎo)體層接合；
移除所述轉(zhuǎn)移基板；
蝕刻所述P型半導(dǎo)體層及發(fā)光層，并裸露所述N型半導(dǎo)體層；以及
分別設(shè)置所述P型電極及N型電極于所述P型半導(dǎo)體層及N型半導(dǎo)體層。
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