[發明專利]電子裝置

有效

• 申請號: 201810251234.1
• 申請日: 2018-03-26
• 公開（公告）號: CN108807662B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 金亮坤;鄭求烈;林鐘久;李哉衡
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;H01L43/10;G11C11/16
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

1.一種電子裝置，其包括半導體存儲器，其中，所述半導體存儲器包括：

磁隧道結MTJ結構，其包括具有可變磁化方向的自由層、具有固定磁化方向的釘扎層以及介于自由層和釘扎層之間的隧道阻擋層，所述可變磁化方向垂直于所述自由層，所述固定磁化方向垂直于所述釘扎層；

底層，其設置在MTJ結構下；

垂直磁各向異性增加層，其設置在底層之下，并且包括具有與底層不同的晶體結構的材料；以及

緩沖層，其設置在所述垂直磁各向異性增加層之下，并且包括具有與所述垂直磁各向異性增加層不同的晶體結構的材料。

2.根據權利要求1所述的電子裝置，其中，底層包括具有NaCl的晶體結構的材料。

3.根據權利要求2所述的電子裝置，其中，底層包括具有NaCl的晶體結構的金屬氧化物。

4.根據權利要求3所述的電子裝置，其中，底層包括MgO，或ZnO，或其組合。

5.根據權利要求1所述的電子裝置，其中，垂直磁各向異性增加層包括具有面心立方FCC晶體結構的材料。

6.根據權利要求5所述的電子裝置，其中，垂直磁各向異性增加層包括具有面心立方FCC晶體結構的金屬氮化物。

7.根據權利要求6所述的電子裝置，其中，垂直磁各向異性增加層包括TiN、ZrN、HfN或MoN，或其組合。

8.根據權利要求1所述的電子裝置，其中，緩沖層作用為促進設置在緩沖層之上的層的晶體生長。

9.根據權利要求8所述的電子裝置，其中，緩沖層包括具有六方密堆積HCP晶體結構的材料。

10.根據權利要求9所述的電子裝置，其中，緩沖層包括Mg、Zr、Hf、Ru或Os，或其組合。

11.一種電子裝置，其包括半導體存儲器，其中，所述半導體存儲器包括：

襯底；

存儲單元，其形成在襯底之上，每個存儲單元包括磁性層、設置在磁性層之下的底層、設置在底層之下并構造成具有與底層的晶體結構不同的晶體結構的垂直磁各向異性增加層、以及設置在所述垂直磁各向異性增加層之下并且包括具有與所述垂直磁各向異性增加層不同的晶體結構的材料的緩沖層；以及

開關元件，其形成在襯底之上，并耦接到存儲單元以選擇或取消選擇存儲單元。

12.根據權利要求11所述的電子裝置，其中，每個存儲單元包括包含磁性層、底層和垂直磁各向異性增加層的磁隧道結MTJ結構。

13.根據權利要求11所述的電子裝置，其中，底層包括具有NaCl的晶體結構的材料。

14.根據權利要求13所述的電子裝置，其中，底層包括具有NaCl的晶體結構的金屬氧化物。

15.根據權利要求14所述的電子裝置，其中，底層包括MgO，或ZnO，或其組合。

16.根據權利要求11所述的電子裝置，其中，垂直磁各向異性增加層包括具有面心立方FCC晶體結構的材料。

17.根據權利要求16所述的電子裝置，其中，垂直磁各向異性增加層包括具有面心立方FCC晶體結構的金屬氮化物。

18.根據權利要求17所述的電子裝置，其中，垂直磁各向異性增加層包括TiN、ZrN、HfN或MoN，或其組合。

19.根據權利要求11所述的電子裝置，其中，緩沖層作用為促進設置在緩沖層之上的層的晶體生長。

20.根據權利要求19所述的電子裝置，其中，緩沖層包括具有六方密堆積HCP晶體結構的材料。