[發明專利]晶圓級發光二極管陣列

在審

• 申請號: 201810244405.8
• 申請日: 2013-08-06
• 公開（公告）號: CN108461515A
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發明（設計）人: 張鍾敏;蔡鐘炫;李俊燮;徐大雄;盧元英;姜珉佑;金賢兒
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/42;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/62
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;劉燦強

1.一種發光二極管陣列，所述發光二極管陣列包括：

生長基板；

多個發光二極管，布置在基板上，所述多個發光二極管中的每個發光二極管具有第一半導體層、有源層和第二半導體層；

第一層間絕緣層,形成在所述多個發光二極管上并且暴露每個發光二極管的第一半導體層的一部分和第二半導體層的一部分；以及

多個上電極，布置在所述第一層間絕緣層上并且由相同的材料形成，所述多個上電極中的每個上電極電連接到相應的發光二極管的第一半導體層的一部分，

其中，至少一個上電極電連接到發光二極管中的相鄰的一個發光二極管的第二半導體層的一部分，上電極中的另一上電極與發光二極管中的相鄰的一個發光二極管的第二半導體層絕緣，

其中，上電極包括與第一半導體層歐姆接觸的歐姆接觸層和位于歐姆接觸層上的反射導電層。

2.如權利要求1所述的發光二極管陣列，其中，歐姆接觸層包括從Cr、Ni、Ti、Rh和Al組成的組中選擇的任意一種金屬材料。

3.如權利要求1所述的發光二極管陣列，其中，歐姆接觸層包括ITO。

4.如權利要求1所述的發光二極管陣列，所述第一層間絕緣層使上電極與發光二極管的側表面絕緣。

5.如權利要求4所述的發光二極管陣列，所述發光二極管陣列還包括分別布置在發光二極管的第二半導體層上的下電極，

其中，電連接到相鄰的發光二極管的上電極通過第一層間絕緣層暴露的下電極連接到相應的發光二極管的第二半導體層。

6.如權利要求5所述的發光二極管陣列，其中，每個下電極包括反射層。

7.如權利要求5所述的發光二極管陣列，所述發光二極管陣列還包括覆蓋上電極的第二層間絕緣層，

其中，第二層間絕緣層暴露一個下電極和與相鄰的發光二極管的第二半導體層絕緣的上電極。

8.如權利要求7所述的發光二極管陣列，其中，發光二極管通過上電極串聯連接，

其中，第二層間絕緣層暴露與在串聯連接的發光二極管的兩端處的發光二極管對應的下電極和上電極。

9.如權利要求7所述的發光二極管陣列，所述發光二極管陣列還包括位于第二層間絕緣層上的第一焊盤和第二焊盤，

其中，第一焊盤連接到通過第二層間絕緣層暴露的下電極，第二焊盤連接到通過第二層間絕緣層暴露的上電極。

10.如權利要求1所述的發光二極管陣列，其中，上電極占據發光二極管陣列的整個面積的至少30％且小于100％的面積。

11.如權利要求1所述的發光二極管陣列，其中，每個上電極為具有幅寬與寬度的比在1:3至3:1的范圍內的板或片的形式。

12.如權利要求1所述的發光二極管陣列，其中，至少一個上電極具有比發光二極管中的相應的發光二極管的幅寬或寬度大的幅寬或寬度。

13.如權利要求4所述的發光二極管陣列，其中，第一層間絕緣層和上電極構成全方位反射器。

14.如權利要求4所述的發光二極管陣列，其中，第一層間絕緣層包括分布式布拉格反射器。