[發(fā)明專利]一種導(dǎo)電薄膜以及提升導(dǎo)電薄膜導(dǎo)電性的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810241317.2
• 申請(qǐng)日: 2018-03-22
• 公開（公告）號(hào): CN108550424A
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊柏儒;翁明;許鈺旺;陳鵬;張偉;李京周;王毓成;邱景燊;柳成林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佛山市順德區(qū)中山大學(xué)研究院;廣東順德中山大學(xué)卡內(nèi)基梅隆大學(xué)國(guó)際聯(lián)合研究院;中山大學(xué)
• 主分類號(hào): H01B5/14
• 分類號(hào): H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 左恒峰

1.一種導(dǎo)電薄膜，其特征在于：包括金屬納米線(1)，所述金屬納米線(1)交叉構(gòu)成金屬納米線網(wǎng)格，還包括將金屬納米線網(wǎng)格上的交叉點(diǎn)壓緊的金屬氧化物溶膠(2)，所述金屬納米線網(wǎng)格包括由金屬納米線(1)交叉形成的結(jié)點(diǎn)，所述金屬氧化物溶膠(2)包覆在結(jié)點(diǎn)四周。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導(dǎo)電薄膜，其特征在于：所述金屬納米線(1)為銀納米線、金納米線、銅納米線、鉑納米線、鐵納米線、鈷納米線、鎳納米線、鎢納米線、鋁納米線、鈦納米線、銻納米線、鉛納米線、錫元素、鋅納米線、銦納米線、鎵納米線或合金納米線其中一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導(dǎo)電薄膜，其特征在于：所述金屬氧化物溶膠(2)為氧化鋅溶膠、氧化錫溶膠、二氧化鈦溶膠、三氧化二鋁溶膠、氧化鋯溶膠、二氧化硅溶膠或混合金屬氧化物溶膠其中一種。

4.一種提升導(dǎo)電薄膜導(dǎo)電性的方法，其特征在于：包括以下步驟：將導(dǎo)電薄膜放入微波輻射反應(yīng)器中進(jìn)行微波處理；

將金屬氧化物溶膠(2)涂布到微波處理后的導(dǎo)電薄膜上，然后將其放在恒溫臺(tái)上靜置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種提升導(dǎo)電薄膜導(dǎo)電性的方法，其特征在于：所述導(dǎo)電薄膜的制備過(guò)程為：制備金屬納米線導(dǎo)電油墨；

對(duì)柔性襯底進(jìn)行老化處理；將導(dǎo)電油墨涂布到老化處理后的柔性襯底，然后將其放在恒溫臺(tái)上靜置，制成導(dǎo)電薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種提升導(dǎo)電薄膜導(dǎo)電性的方法，其特征在于：所述導(dǎo)電薄膜上的金屬納米線(1)交叉構(gòu)成2維網(wǎng)格結(jié)構(gòu)或3維金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，所述金屬氧化物溶膠(2)包埋在金屬納米線(1)交叉形成的結(jié)點(diǎn)四周。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種提升導(dǎo)電薄膜導(dǎo)電性的方法，其特征在于：所述金屬氧化物溶膠(2)為氧化鋅溶膠、氧化錫溶膠、二氧化鈦溶膠、三氧化二鋁溶膠、氧化鋯溶膠、二氧化硅溶膠或混合金屬氧化物溶膠其中一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種提升導(dǎo)電薄膜導(dǎo)電性的方法，其特征在于：將導(dǎo)電薄膜放入微波輻射反應(yīng)器中進(jìn)行微波處理的具體步驟為：將導(dǎo)電薄膜放入微波輻射反應(yīng)器中，使反應(yīng)腔內(nèi)充滿100Hz～3000MHz的微波，功率為1mW～100W，處理時(shí)間為1ms～50s。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種提升導(dǎo)電薄膜導(dǎo)電性的方法，其特征在于：取濃度為5～20mg/ml的金屬氧化物溶膠(2)涂布到微波處理后的導(dǎo)電薄膜上。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種提升導(dǎo)電薄膜導(dǎo)電性的方法，其特征在于：將涂布了金屬氧化物溶膠(2)的導(dǎo)電薄膜放在恒溫臺(tái)上靜置10～120min，溫度穩(wěn)定在10～80℃。