[發(fā)明專利]基于納米薄膜熱電偶和超晶格光電結(jié)構(gòu)的微型發(fā)電機在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810208223.5 | 申請日: | 2018-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN108598207A | 公開(公告)日: | 2018-09-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 廖小平;嚴嘉彬 | 申請(專利權(quán))人: | 東南大學(xué) |
| 主分類號: | H01L31/0525 | 分類號: | H01L31/0525;H01L31/0352;H01L31/028;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 211189 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 納米薄膜 熱電堆 熱電偶 單晶硅薄膜 氮化硅薄膜 微型發(fā)電機 光電結(jié)構(gòu) 超晶格 光電池 襯底 多晶硅納米薄膜 熱電式發(fā)電機 超晶格結(jié)構(gòu) 二氧化硅層 發(fā)射區(qū)電極 熱電偶串聯(lián) 基區(qū)電極 空腔結(jié)構(gòu) 絨面結(jié)構(gòu) 背電場 鈍化層 金屬板 上表面 犧牲層 淀積 空腔 受光 釋放 覆蓋 制作 | ||
本發(fā)明的基于納米薄膜熱電偶和超晶格光電結(jié)構(gòu)的微型發(fā)電機,襯底為N型硅片,光電池的受光面上制作有絨面結(jié)構(gòu)、第二氮化硅薄膜和背電場結(jié)構(gòu),在襯底的上表面,超晶格結(jié)構(gòu)上覆蓋了一層外延的單晶硅薄膜,部分為P型摻雜區(qū)域,部分為N型摻雜區(qū)域,單晶硅薄膜上淀積了一層二氧化硅層鈍化層,與光電池的基區(qū)電極和發(fā)射區(qū)電極相連;熱電式發(fā)電機的主要功能熱電堆是由許多熱電偶串聯(lián)而成,而每個熱電偶又由N型多晶硅納米薄膜和P型多晶硅納米薄膜構(gòu)成,多晶硅納米薄膜的厚度為1?100nm;在熱電堆的上方,通過犧牲層釋放制作出的空腔結(jié)構(gòu),空腔的上方為金屬板,與熱電堆之間隔有第三氮化硅薄膜。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明提出了一種基于納米薄膜熱電偶和超晶格光電結(jié)構(gòu)的微型發(fā)電機,屬于微電子機械系統(tǒng)(MEMS)的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
能量收集技術(shù)可用于替換傳統(tǒng)的電池為各種低功耗的電子器件與電路供電,是目前的研究熱電之一。然而,單一的能量收集方式存在著輸出功率不足和容易受到環(huán)境干擾的弊端,為了克服這些問題,將多種能量收集方式進行集成是未來的發(fā)展趨勢。其中光能收集與熱能收集均可采用固態(tài)轉(zhuǎn)換器件,沒有可動部件,可靠性高,使用壽命長,無需維護,工作時不會產(chǎn)生噪音,將熱電與光電集成,可同時對環(huán)境中的熱源和光能進行收集,具有廣泛的應(yīng)用前景。此外,納米材料由于存在著量子限制和聲子散射效應(yīng),可提升熱電光電的輸出性能,擴展了器件的應(yīng)用空間。
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題:本發(fā)明的目的是提供一種基于納米薄膜熱電偶和超晶格光電結(jié)構(gòu)的微型發(fā)電機,光電池與熱電式發(fā)電機分別采用超晶格與多晶硅納米薄膜結(jié)構(gòu),用以提高輸出功率,且集成在同一片襯底上,可同時對環(huán)境中的熱能和光能進行收集,在復(fù)雜周圍環(huán)境下,兩種收集方式可相互補充,協(xié)同供電。
技術(shù)方案:為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提出了一種基于納米薄膜熱電偶和超晶格光電結(jié)構(gòu)的微型發(fā)電機。其結(jié)構(gòu)主要包括光電池和熱電式發(fā)電機,兩個部分制作于同一片硅襯底上,實現(xiàn)了熱電與光電的單片集成,且光電池和熱電式發(fā)電機電極位于硅片的同一側(cè),便于實際應(yīng)用中的封裝,采用第一氮化硅薄膜作為兩個部分的絕緣結(jié)構(gòu),避免電學(xué)短路。
光電池的襯底選用長載流子壽命的N型硅片,受光面采用織構(gòu)化的倒金字塔絨面結(jié)構(gòu),作用是減小入射光的反射;在絨面結(jié)構(gòu)上涂覆了一層特定厚度的抗反射第二氮化硅薄膜,利用氫鈍化和固定電荷效應(yīng)來減小電池的體復(fù)合與表面復(fù)合;采用離子注入方法制作了一個N-N+高低結(jié),又被稱為背電場結(jié)構(gòu),用于減小表面復(fù)合;非晶硅和碳化硅納米薄膜交替排列構(gòu)成超晶格結(jié)構(gòu),在超晶格結(jié)構(gòu)的上方覆蓋了一層外延的單晶硅薄膜,部分為P型摻雜區(qū)域,作為光電池的發(fā)射區(qū),部分為N型摻雜區(qū)域,用于和基區(qū)電極形成歐姆接觸,單晶硅薄膜上覆蓋一層二氧化硅層鈍化層,并開了電極接觸孔,用于減少上表面的表面復(fù)合,叉指形光電池電極包括基區(qū)電極和發(fā)射區(qū)電極,相比傳統(tǒng)的光電池結(jié)構(gòu),上表面的電極寬度很大,一方面減少了電池的背面反射,另一方面減小了電池的寄生電阻,有利于提高輸出性能。
熱電式發(fā)電機主要由水平放置的熱電堆和散熱金屬板構(gòu)成;其中熱電堆是由許多熱電偶串聯(lián)而成,而每個熱電偶又由N型多晶硅納米薄膜和P型多晶硅納米薄膜構(gòu)成,多晶硅納米薄膜的厚度為1-100nm;兩個半導(dǎo)體臂之間采用金(Au)作為熱電堆互聯(lián)金屬,因為熱量皆由熱電堆的熱端傳遞到冷端,所以熱電偶在傳熱學(xué)上并聯(lián),電學(xué)上串聯(lián);為了方便測試和避免局部偏差導(dǎo)致整個器件的失效,制作了多個熱電堆輸出電極;在熱電堆的上方,通過犧牲層釋放制作出的空腔結(jié)構(gòu),進一步增強了冷熱兩端之間的熱隔離;熱電式發(fā)電機的冷端通過一塊金屬板有效地實現(xiàn)了散熱,增大了熱電堆與周圍環(huán)境的熱耦合,金屬板材料為鋁(Al),與熱電堆之間隔有第三氮化硅薄膜以實現(xiàn)絕緣;由于熱流路徑垂直于芯片表面,便于器件在應(yīng)用中的封裝。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





