[發明專利]基于納米薄膜熱電偶和超晶格光電結構的微型發電機在審
| 申請號: | 201810208223.5 | 申請日: | 2018-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN108598207A | 公開(公告)日: | 2018-09-28 |
| 發明(設計)人: | 廖小平;嚴嘉彬 | 申請(專利權)人: | 東南大學 |
| 主分類號: | H01L31/0525 | 分類號: | H01L31/0525;H01L31/0352;H01L31/028;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 211189 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 納米薄膜 熱電堆 熱電偶 單晶硅薄膜 氮化硅薄膜 微型發電機 光電結構 超晶格 光電池 襯底 多晶硅納米薄膜 熱電式發電機 超晶格結構 二氧化硅層 發射區電極 熱電偶串聯 基區電極 空腔結構 絨面結構 背電場 鈍化層 金屬板 上表面 犧牲層 淀積 空腔 受光 釋放 覆蓋 制作 | ||
1.一種基于納米薄膜熱電偶和超晶格光電結構的微型發電機,其特征是:該微型發電機由制作于同一N型硅片襯底(9)上的光電池(1)和熱電式發電機(2)兩個部分構成,中間隔有第一氮化硅薄膜(8),襯底(9)的受光面(4)上制作有絨面結構(10)、第二氮化硅薄膜(12)和背電場結構(11);在超晶格結構(13)的上方覆蓋了一層外延的單晶硅薄膜(14),部分為P型摻雜區域,部分為N型摻雜區域(15),單晶硅薄膜(14)上淀積了一層二氧化硅層鈍化層(18),二氧化硅層鈍化層(18)上的電極接觸孔與光電池的基區電極(15)和發射區電極(16)相連;熱電式發電機(2)的主要功能部件為熱電堆,熱電堆一端位于光電池叉指電極的上方,另一端位于光電池叉指電極的間隙處,由許多熱電偶串聯而成,熱電堆四周制作了多個熱電堆輸出電極(24);在熱電堆的上方,通過犧牲層釋放制作出的空腔結構,空腔的上方為金屬板(23),與熱電堆之間隔有第三氮化硅薄膜(22);納米超晶格結構(13)由非晶硅和碳化硅薄膜交替排列而成,每層厚度在1-10nm,納米超晶格結構(13)的納米尺寸效應使光電池(1)擁有優異的光敏性、光電特性、高電導率、高光吸收系數和高光學帶隙,且光電導在光照條件下衰減較小,從而提高了光電池(1)的效率;熱電式發電機(2)的熱電堆是由N型多晶硅納米薄膜(19)和P型多晶硅納米薄膜(20)串聯而成,N型多晶硅納米薄膜(19)和P型多晶硅納米薄膜(20)通過外延技術生長而成,厚度為1-100nm,因量子限制和聲子散射效應,N型多晶硅納米薄膜(19)和P型多晶硅納米薄膜(20)的熱導率遠低于傳統體材料,提高了熱電式發電機(2)的轉換效率。
2.根據權利要求1所述的一種基于多晶硅納米薄膜熱電偶和納米PN結的微型能量收集器,其特征是:基區電極(16)和發射區電極(17)相互交錯,呈現叉指形排列。
3.根據權利要求1所述的一種基于多晶硅納米薄膜熱電偶和納米PN結的微型能量收集器,其特征是:金屬板(23)的材料為Al。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東南大學,未經東南大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810208223.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種光伏組件
- 下一篇:一種太陽能反光膜及其制作方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





