[發(fā)明專利]基于納米薄膜矩形偶陣列和納米PN結(jié)的微納發(fā)電機在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810208067.2 | 申請日: | 2018-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN108400748A | 公開(公告)日: | 2018-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 廖小平;陳友國 | 申請(專利權(quán))人: | 東南大學(xué) |
| 主分類號: | H02S10/30 | 分類號: | H02S10/30 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 211189 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)電機 熱電堆 熱電 納米PN結(jié) 納米薄膜 電極 制備 串聯(lián) 光電能量轉(zhuǎn)換 射頻收發(fā)組件 單元結(jié)構(gòu) 多層薄膜 綠色能源 熱電發(fā)電 氧化鋁膜 傳統(tǒng)體 氮化硅 隔離層 硅納米 納米硅 熱導(dǎo)率 熱電臂 襯底 廢熱 濺射 絨面 光照 隔離 金屬 | ||
本發(fā)明的基于納米薄膜矩形偶陣列和納米PN結(jié)的微納發(fā)電機,襯襯底為N型硅片,制備有絨面,氧化鋁膜,光電P型摻雜區(qū),光電N型摻雜區(qū),SiO2隔離層,光電電極,光電電極如圖3所示進行連接,然后制備了第一氮化硅隔離層,用于隔離熱電光電。本微納發(fā)電機的熱電部分由熱電堆單元組成,熱電堆單元是由P型熱電臂和N型熱電臂構(gòu)成的,熱電臂采用周期性的納米硅多層薄膜,通過濺射一層金屬Ti/Au層串聯(lián)P型和N型熱電臂,串聯(lián)得到如圖4所示的熱電堆單元結(jié)構(gòu)。本發(fā)電機采用的硅納米的熱導(dǎo)率遠低于傳統(tǒng)體材料,從而極大的提高了熱電發(fā)電效率,通過熱電光電能量轉(zhuǎn)換,利用射頻收發(fā)組件工作時產(chǎn)生的廢熱和環(huán)境中的光照,得到可持續(xù)的綠色能源。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明提出了一種基于納米薄膜矩形偶陣列和納米PN結(jié)的微納發(fā)電機,屬于微電子機械系統(tǒng)(MEMS)的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
隨著無線通訊與MEMS技術(shù)的不斷發(fā)展,使得微電子設(shè)備、微傳感器和微型能量收集器等微型機電系統(tǒng)的應(yīng)用范圍不斷擴大。但是,諸多應(yīng)用仍僅僅依靠傳統(tǒng)的電池來供電,如鋰聚合物電池等。傳統(tǒng)電池存在以下缺陷:一是相對于微型傳感器等,其體積相對較大;二是電池使用壽命有限,有限的容量導(dǎo)致使用一段時間就需要更換或者充電,對于工作在氣候惡劣或偏遠地區(qū)的無線傳感網(wǎng)來說,這是個嚴重的制約。因此,微型能量收集系統(tǒng)已經(jīng)成為一個研究熱點且發(fā)展迅猛,能量收集器也正越來越多地受到廣大人民群眾的關(guān)注。其中,采用的硅納米的熱導(dǎo)率遠低于傳統(tǒng)體材料,可以實現(xiàn)一邊維持電子運輸,一邊抑制熱量輸送,從而極大的提高了熱電發(fā)電效率,在熱電發(fā)電實用化上具有重要意義。
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題:本發(fā)明的目的是提供一種基于納米薄膜矩形偶陣列和納米PN結(jié)的微納發(fā)電機,光電池部分采用PN結(jié)納米結(jié)構(gòu),熱電能量收集則采用平面型,因為其具有工藝簡單易于CMOS工藝集成等諸多優(yōu)點。在復(fù)雜野外環(huán)境下,由于更換鋰電池十分的不便,且存在著浪費人力物力的情況,該發(fā)電機可以很好的利用射頻收發(fā)組件等工作時產(chǎn)生的廢熱,通過熱電和光電能量轉(zhuǎn)換,得到可持續(xù)的綠色能源。
技術(shù)方案:為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提出了一種基于納米薄膜矩形偶陣列和納米PN結(jié)的微納發(fā)電機。選擇4寸的N型硅片作為襯底,然后制備絨面,采用一種添加劑制絨優(yōu)化工藝,得到絨面。接著,利用ADL(原子層沉積法是一種鍍膜工藝)備制氧化鋁膜。清洗除雜,對樣片進行摻雜,得到太陽能光電器件納米陣列結(jié)構(gòu)的P型摻雜區(qū)和N型摻雜區(qū),去除多孔陽極氧化鋁模板,通過PECVD法在樣片上淀積一層SiO2隔離層。開孔,利用PECVD在樣片上電極一層金作為電極和匯流條,電極金屬連接如圖3所示,利用PECVD在樣片上淀積一層第一氮化硅隔離層作為電隔離。然后制備熱電部分,制備周期性納米硅多層薄膜并摻雜。采用LPCVD工藝制作一層100nm氮化硅,P型摻雜區(qū)光刻,用LAM490干法刻蝕氮化硅,時間為1.5min;進行硼離子注入,摻雜濃度為5E16cm-3,得到P型摻雜區(qū),然后刻蝕去除上述氮化硅層。類似地,制備得到N型摻雜區(qū),涂覆光刻膠,光刻出特定區(qū)域,刻蝕納米硅薄膜,留下熱電堆的P型臂和熱電堆的N型。又采用PECVD工藝生長一層厚度為0.1um氮化硅層,作為第二氮化硅隔離層,電極窗口光刻,用LAM490干法刻蝕氮化硅,得到窗口。通過濺射一層厚度為0.15um的Ti/Au層,反刻金屬層,得到熱電堆的電極,用來連接熱電堆的P型臂和熱電堆的N型臂,連接如下圖4所示。再采用PECVD工藝生長一層厚度為0.1um氮化硅層,作為第二氮化硅隔離層,刻蝕第三氮化硅層,露出pad。最后,電鍍一層厚度為2um的Al金屬層,作為器件的散熱板。
本發(fā)電機用于射頻收發(fā)組件中,由于射頻收發(fā)組件正常工作時熱耗損嚴重,故對其產(chǎn)生的熱能進行收集,然后通過DC-DC轉(zhuǎn)換模塊后得到穩(wěn)定輸出,并存貯到電池中。在復(fù)雜野外環(huán)境下,由于更換鋰電池十分的不便,且存在著浪費人力物力的情況,該發(fā)電機可以很好的利用射頻收發(fā)組件工作時產(chǎn)生的廢熱,通過熱電能量轉(zhuǎn)換,得到可持續(xù)的綠色能源。
有益效果:本發(fā)明相對于現(xiàn)有的發(fā)電機具有以下優(yōu)點:
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