[發(fā)明專利]一種(Alx 有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810199731.1 | 申請日： | 2018-03-09 |
| 公開（公告）號： | CN108385062B | 公開（公告）日： | 2020-05-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 矯淑杰;聶伊尹;盧洪亮 | 申請（專利權(quán)）人： | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 哈爾濱市陽光惠遠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 23211 | 代理人： | 張金珠 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 al base sub | ||
1.一種(AlxGa1-x)2O3合金薄膜的制備方法，其特征在于該薄膜的制備方法是采用磁控濺射法，是通過下述步驟完成的：
步驟一、將氧化鎵陶瓷靶放到設(shè)置在真空室底部的靶臺上，氧化鋁陶瓷靶置于氧化鎵陶瓷靶上；
步驟二、然后將襯底設(shè)置在氧化鎵陶瓷靶的正上方，所述襯底與所述氧化鋁陶瓷靶之間留有間距；
步驟三、然后采用真空磁控濺射進行沉積后，再高溫退火，空氣中冷卻至室溫；即得到(AlxGa1-x)2O3合金薄膜；
其中，步驟一所述氧化鎵陶瓷靶呈圓柱狀，直徑為60mm，厚度為5mm；所述氧化鋁陶瓷靶呈圓柱狀，直徑為10~50 mm，厚度為1~5mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種(AlxGa1-x)2O3合金薄膜的制備方法，其特征在于步驟一所述氧化鎵陶瓷靶與氧化鋁靶共軸放置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種(AlxGa1-x)2O3合金薄膜的制備方法，其特征在于步驟二所述襯底與所述氧化鋁陶瓷靶之間的間距為10cm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述一種(AlxGa1-x)2O3合金薄膜的制備方法，其特征在于步驟三所述濺射功率為120~200W，濺射工作壓強為1.0~2.0Pa，所述工作氣氛為氧氬混合氣，氧氣和氬氣的流量比為（2~6）: （40~36），濺射時間為0.5~10h。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述一種(AlxGa1-x)2O3合金薄膜的制備方法，其特征在于步驟三所述濺射功率為140W，濺射工作壓強為1.2Pa，所述工作氣氛為氧氬混合氣，氧氣和氬氣的流量比為4: 38，濺射時間為2h。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述一種(AlxGa1-x)2O3合金薄膜的制備方法，其特征在于步驟三所述高溫退火的溫度控制在600~1000℃，高溫退火的時間在2~5h。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述一種(AlxGa1-x)2O3合金薄膜的制備方法，其特征在于步驟三所述高溫退火的溫度控制在1000℃，高溫退火的時間在2h。
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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