[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的互連結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810199515.7
• 申請日: 2013-12-23
• 公開（公告）號: CN108336022B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜旼聲
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng);尹淑梅

提供了一種半導(dǎo)體器件的互連結(jié)構(gòu)。所述互連結(jié)構(gòu)包括：下互連線，位于基板上；層間介電層，位于下互連線上；接觸塞，設(shè)置在層間介電層中并且包括下部部分和上部部分，接觸塞的上部部分具有在第一方向上的第一上部寬度和在垂直于第一方向的第二方向上的第二上部寬度，接觸塞的下部部分接觸下互連線并且具有下部寬度；以及上互連線，設(shè)置在層間介電層中并且接觸接觸塞的上部部分，上互連線沿第一方向延伸并且具有在第二方向上的線寬度，其中，接觸塞的第一上部寬度大于上互連線的線寬度，并且其中，上互連線的線寬度大于接觸塞的第二上部寬度。

本申請是向中國國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的申請日為2013年12月23日的標(biāo)題為“用于半導(dǎo)體器件的互連結(jié)構(gòu)及其制造方法和半導(dǎo)體器件”的第201310740175.1號申請的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，具體地，涉及用于半導(dǎo)體器件的互連結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)

由于半導(dǎo)體器件的小尺寸、多功能性和/或低成本特性，使得半導(dǎo)體器件成為電子產(chǎn)業(yè)中的重要元件。半導(dǎo)體器件可以包括若干單元組件(例如，MOS晶體管、電阻器、電容器和/或互連線)。單元組件可以包括各種圖案(例如，導(dǎo)線、摻雜區(qū)、器件隔離圖案、孔和/或電極)。

然而，隨著半導(dǎo)體器件的集成度提高，在制造半導(dǎo)體器件時(shí)會出現(xiàn)若干技術(shù)問題。例如，隨著圖案的密度和/或高度的增加，在執(zhí)行光刻工藝和/或蝕刻工藝時(shí)的困難會增大(例如，工藝余量減小)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例提供了用于半導(dǎo)體器件的高度可靠的互連結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明構(gòu)思的其它示例實(shí)施例提供了形成用于半導(dǎo)體器件的高度可靠的互連結(jié)構(gòu)的方法。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件的互連結(jié)構(gòu)包括：下互連線，位于基板上；層間介電層，位于下互連線上；接觸塞，設(shè)置在層間介電層中并且包括下部部分和上部部分，接觸塞的上部部分具有在第一方向上的第一上部寬度和在垂直于第一方向的第二方向上的第二上部寬度，接觸塞的下部部分接觸下互連線并且具有下部寬度；以及上互連線，設(shè)置在層間介電層中并且接觸接觸塞的上部部分，上互連線沿第一方向延伸并且具有在第二方向上的線寬度，其中，接觸塞的第一上部寬度大于上互連線的線寬度，并且其中，上互連線的線寬度大于接觸塞的第二上部寬度。

在一些示例實(shí)施例中，接觸塞的下部寬度小于接觸塞的第二上部寬度。

在一些示例實(shí)施例中，層間介電層包括氮化硅和氮氧化硅中的至少一種。

在一些示例實(shí)施例中，層間介電層包括覆蓋下互連線的蝕刻停止層，蝕刻停止層包括SiN、SiON、SiC、SiCN和BN中的至少一種。

在一些示例實(shí)施例中，上互連線的上表面與層間介電層的上表面基本共面。

在一些示例實(shí)施例中，接觸塞包括鎢，上互連線包括銅或銅合金。

在一些示例實(shí)施例中，接觸塞還包括第一阻擋金屬層，上互連線還包括第二阻擋金屬層。

在一些示例實(shí)施例中，第一阻擋金屬層和第二阻擋金屬層均包括從Ta、TaN、TaSiN、Ti、TiN、TiSiN、W和WN的組中選擇的至少一種金屬性材料。