[發明專利]層疊陶瓷電容器及其制造方法

有效

• 申請號: 201810192343.0
• 申請日: 2018-03-08
• 公開（公告）號: CN108573812B
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發明（設計）人: 坂手大輔;水野高太郎
• 申請（專利權）人: 太陽誘電株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/33;H01G4/12
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

本發明提供能夠無損于側邊緣部的燒結性地獲得高可靠性的層疊陶瓷電容器，層疊陶瓷電容器包括層疊部和側邊緣部。上述層疊部具有在第1方向上層疊的多個陶瓷層和配置在上述多個陶瓷層之間的內部電極，上述側邊緣部從與上述第1方向正交的第2方向覆蓋上述層疊部，該側邊緣部的稀土類元素濃度和釩濃度比上述多個陶瓷層的在上述第2方向的中央部的稀土類元素濃度和釩濃度高。利用該層疊陶瓷電容器，能夠無損于側邊緣部的燒結性而獲得高的可靠性。

技術領域

本發明涉及層疊陶瓷電容器及其制造方法。

背景技術

在層疊陶瓷電容器的制造方法中，已知有添加保護內部電極的周圍的保護部(側邊緣部)的技術。例如，在專利文獻1中公開有制作內部電極在側面露出的陶瓷主體，在該陶瓷主體的側面設置保護部的技術。

此外，在專利文獻1中還公開有通過相比于相對的內部電極之間的陶瓷部、使作為保護部的生的陶瓷層中含有較多稀土類元素，在燒制時使稀土類元素從陶瓷層向陶瓷主體擴散的技術。在該技術中，擴散至陶瓷主體的稀土類元素抑制燒制時的晶體生長，因此能夠抑制內部電極間的短路的發生。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2014-143392號公報

發明內容

發明所要解決的問題

在沒有配置燒制溫度低的內部電極的保護部，燒結性容易變低。不僅如此，在專利文獻1中記載的技術中，包含于保護部中的大量稀土類元素會使保護部的燒結性更低。當保護部的燒結性低時，容易產生保護部的剝離等的不良狀況。

鑒于以上情況，本發明的目的在于提供能夠不損害側邊緣部的燒結性地獲得高的可靠性的層疊陶瓷電容器及其制造方法。

用于解決課題的技術手段

為了達到上述目的，本發明的一個方式的層疊陶瓷電容器包括層疊部和側邊緣部。

上述層疊部具有在第1方向上層疊的多個陶瓷層和配置于上述多個陶瓷層之間的內部電極。

上述側邊緣部從與上述第1方向正交的第2方向覆蓋上述層疊部，上述側邊緣部中的稀土類元素濃度和釩濃度比上述多個陶瓷層的在上述第2方向的中央部的稀土類元素濃度和釩濃度高。

在上述多個陶瓷層的上述第2方向的端部，上述稀土類元素濃度和上述釩濃度隨著向上述側邊緣部去變高。

該結構能夠通過提高燒制前的側邊緣部的稀土類元素濃度和釩濃度而實現。在該結構中，在燒制時稀土類元素和釩從側邊緣部向層疊部擴散，因此稀土類元素和釩被向容易成為故障的原因的層疊部的第2方向的端部供給。供向層疊部的稀土類元素和釩均會使陶瓷層的氧缺陷減少，由此具有抑制層疊部的故障的產生的作用。因此，利用該層疊陶瓷電容器能夠獲得高的可靠性。

此外，在該結構中，稀土類元素使側邊緣部的燒結性降低，而釩使側邊緣部的燒結性提高。即，利用該結構，在使用稀土類元素的基礎上還使用釩，由此來確保在側邊緣部中的充分的燒結性。

上述稀土類元素濃度也可以為釔、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿中的至少1者的濃度。

上述多個陶瓷層和上述側邊緣部也可以由含有鋇和鈦的鈣鈦礦結構的多晶體構成。

在本發明的一個方式的層疊陶瓷電容器的制造方法中，準備未燒制的層疊芯片，上述層疊芯片包括在第1方向上層疊的多個陶瓷層和配置于上述多個陶瓷層之間的內部電極。

在朝向與上述第1方向正交的第2方向的上述層疊芯片的側面設置側邊緣部來制作陶瓷主體，上述側邊緣部中的稀土類元素濃度和釩濃度比上述多個陶瓷層中的稀土類元素濃度和釩濃度高。

燒制上述陶瓷主體。

發明的效果