[發(fā)明專利]層疊陶瓷電容器及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810192343.0 | 申請日： | 2018-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN108573812B | 公開（公告）日： | 2022-01-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 坂手大輔;水野高太郎 | 申請（專利權(quán)）人： | 太陽誘電株式會社 |
| 主分類號： | H01G4/30 | 分類號： | H01G4/30;H01G4/33;H01G4/12 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 層疊 陶瓷 電容器 及其 制造 方法 | ||
1.一種層疊陶瓷電容器，其特征在于，包括：
層疊部，其包括在第1方向上層疊的多個陶瓷層和配置于所述多個陶瓷層之間的內(nèi)部電極；和
從與所述第1方向正交的第2方向覆蓋所述層疊部的側(cè)邊緣部，并且所述側(cè)邊緣部中的稀土類元素濃度和釩濃度比所述多個陶瓷層的在所述第2方向的中央部的稀土類元素濃度和釩濃度高，
所述側(cè)邊緣部的釩濃度在所述第2方向上從所述側(cè)邊緣部的所述層疊部側(cè)的表面增加至與所述層疊部相反的一側(cè)的表面。
2.如權(quán)利要求1所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于：
在所述多個陶瓷層的所述第2方向的端部，所述稀土類元素濃度和所述釩濃度隨著向所述側(cè)邊緣部去變高。
3.如權(quán)利要求1所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于：
所述稀土類元素濃度為釔、鋱、鏑、鈥、鉺、銩和鐿中的至少1者的濃度。
4.如權(quán)利要求2所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于：
所述稀土類元素濃度為釔、鋱、鏑、鈥、鉺、銩和鐿中的至少1者的濃度。
5.如權(quán)利要求1～4中的任一項所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于：
所述多個陶瓷層和所述側(cè)邊緣部由含有鋇和鈦的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的多晶體構(gòu)成。
6.一種層疊陶瓷電容器的制造方法，其特征在于：
準備未燒制的層疊芯片，所述層疊芯片包括在第1方向上層疊的多個陶瓷層和配置于所述多個陶瓷層之間的內(nèi)部電極，
在朝向與所述第1方向正交的第2方向的所述層疊芯片的側(cè)面設(shè)置側(cè)邊緣部來制作陶瓷主體，所述側(cè)邊緣部中的稀土類元素濃度和釩濃度比所述多個陶瓷層中的稀土類元素濃度和釩濃度高，
燒制所述陶瓷主體來得到具有所述側(cè)邊緣部的所述陶瓷主體的燒結(jié)體，所述側(cè)邊緣部的釩濃度在所述第2方向上從所述側(cè)邊緣部的所述層疊芯片側(cè)的表面增加至與所述層疊芯片相反的一側(cè)的表面。
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