[發明專利]壓力傳感器有效
| 申請號: | 201810191413.0 | 申請日: | 2018-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN108572046B | 公開(公告)日: | 2020-04-24 |
| 發明(設計)人: | 關根正志;石原卓也;添田將;栃木偉伸 | 申請(專利權)人: | 阿自倍爾株式會社 |
| 主分類號: | G01L9/12 | 分類號: | G01L9/12 |
| 代理公司: | 上海華誠知識產權代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖華 |
| 地址: | 日本國東京都千*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 壓力傳感器 | ||
本發明涉及壓力傳感器,能夠檢測從用于導入測定對象的壓力的配管傳遞到壓力傳感器的檢測部的熱的變動。通過溫度差計算部(107)求出由第1溫度測定機構(103)測定出的溫度與由第2溫度測定機構(106)測定出的溫度的溫度差。第1溫度測定機構(103)設置于內側容器(201)的元件配置側(201b)的外側壁面。第2溫度測定機構(106)設置于加熱器(104)的外側周面,加熱器(104)設置于收容內側容器(201)的外側容器(202)的外側壁面。
技術領域
本發明涉及一種壓力傳感器,特別涉及一種具備檢測設備的壓力傳感器,該檢測設備包括受到來自流體的壓力而進行位移的隔膜。
背景技術
關于靜電電容式的隔膜真空計等壓力傳感器,將包括隔膜的檢測設備安裝于流過作為測定對象的氣體的配管等,將受到壓力的隔膜的撓曲量即位移變換成靜電電容值,根據靜電電容值而輸出壓力值。該壓力傳感器由于氣體種類依賴性小,所以,在以半導體設備為主的工業用途中廣泛使用(參照專利文獻1、專利文獻2)。
如圖6所示,上述隔膜真空計等壓力傳感器的檢測設備具有受到來自測定對象的壓力的隔膜302以及在俯視時在中央具有凹部并且具有支承隔膜302的支承部301a的基座301。隔膜302與基座301形成電容室303。由支承部301a支承的隔膜302中的與基座301間隔開的可動區域302a能夠在基座301的方向上進行位移。隔膜302和基座301例如由藍寶石等絕緣體構成。
另外,壓力傳感器的檢測設備具備形成于隔膜302的可動區域302a的可動電極304以及形成于基座301之上并與可動電極304相面對的固定電極305。另外,壓力傳感器的檢測設備具備在隔膜302的可動區域302a中形成于可動電極304的周圍的可動參照電極306以及形成于固定電極305的周圍的基座301之上并與可動參照電極306相面對的固定參照電極307。
上述壓力傳感器的檢測設備要求針對在安裝有壓力傳感器的裝置中使用的氣體的耐腐蝕性,并且還要求針對在成膜等工藝中產生的副生成物的耐性。另外,在成膜工藝中,在工藝中生成的副生成物沉積于成膜室內壁、配管內壁、真空泵內部以及作為壓力傳感器的受壓部的隔膜等暴露于原料氣體的部位。例如,如圖6所示,副生成物321沉積于隔膜302之上。
例如,關于在柵極絕緣膜等的形成中使用的原子層沉積法(ALD),在特性上,副生成物沉積在暴露于原料氣體的各個部位。為了防止這樣的副生成物的沉積,例如在成膜動作等時候,將副生成物容易沉積的成膜裝置的各部分加熱到例如200℃左右。
例如,在壓力傳感器側,對檢測設備進行加熱來抑制副生成物的沉積。另外,在成膜裝置側,將加熱器設置于用于對壓力傳感器的隔膜導入壓力的配管部,同樣地進行加熱。
但是,壓力傳感器針對溫度變化,也具有靈敏度(溫度特性)(參照非專利文獻1)。因此,通常在組裝壓力傳感器之后評價溫度特性,為了減小溫度變化的影響,調整計測電路之后發貨,該計測電路基于對檢測設備進行加熱的溫度來校正壓力傳感器的輸出。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2006-003234號公報
專利文獻2:日本特開2014-109484號公報
非專利文獻
非專利文獻1:市田俊司其他,“SPS 300インテリジェント圧力センサーの開発”,Savemation Review,vol.9,no.1,pp.8-14,1991年。
發明內容
發明要解決的技術問題
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