[發(fā)明專利]噴淋板、處理裝置和噴出方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810186981.1 | 申請日: | 2018-03-07 |
| 公開(公告)號: | CN108570662B | 公開(公告)日: | 2020-11-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 加藤視紅磨;寺田貴洋;益永孝幸;大瀧誠;長谷川仁;安達浩祐;津野聰 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;H01L21/67 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 噴淋 處理 裝置 噴出 方法 | ||
1.一種噴淋板,包括:
第一構(gòu)件,包括第一壁,所述第一壁設(shè)置有多個第一開口,并且所述第一構(gòu)件在內(nèi)部設(shè)有與所述第一開口連通的室;以及
第二構(gòu)件,包括第二壁,所述第二壁設(shè)置有第二開口并布置在所述室中,所述第二構(gòu)件被布置在與所述第一構(gòu)件間隔開的位置,并且通過改變所述第二構(gòu)件相對于所述第一構(gòu)件的位置而能夠?qū)⒚嫦蛩龅诙_口的所述第一開口中的一個第一開口替換為所述第一開口中的另一個第一開口,
所述第一壁包括第一面,所述第一面面向所述第二壁并與所述第一開口連通,
所述第一構(gòu)件包括面向所述第一面的第二面,
所述第一面與所述第二構(gòu)件之間的距離比所述第二面與所述第二構(gòu)件之間的距離短,
所述第二開口包括在所述第二壁中設(shè)置的多個第二開口,
所述第二開口的總橫截面面積大于在與所述第二開口延伸的方向正交的方向上的所述第二構(gòu)件與所述室的內(nèi)面之間的間隙的橫截面面積,
所述第一開口和所述第二開口為圓形的孔,
所述多個第一開口至少包含與所述第二開口的數(shù)量相等的多個第一噴出口和與所述第二開口的數(shù)量相等的多個第二噴出口,
所述第二構(gòu)件能夠相對于所述第一構(gòu)件移動到第一位置和第二位置,在所述第一位置處所述多個第一噴出口和多個第二開口面向彼此,在所述第二位置處所述多個第二噴出口和多個第二開口面向彼此。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴淋板,其中,
所述第二構(gòu)件通過相對于所述第一構(gòu)件旋轉(zhuǎn),從而能夠?qū)⒚嫦蛩龅诙_口的所述第一開口中的一個第一開口替換為所述第一開口中的另一個第一開口。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴淋板,其中,
所述第二構(gòu)件通過相對于所述第一構(gòu)件平行移動,從而能夠?qū)⒚嫦蛩龅诙_口的所述第一開口中的一個第一開口替換為所述第一開口中的另一個第一開口。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項所述的噴淋板,其中,
所述第一開口中的每一個都包括縮徑部,所述縮徑部朝向所述第二壁而在第一壁上開口并且在遠離所述第二壁的方向上逐漸變細,
所述縮徑部的最大橫截面面積大于所述第二開口的面向所述第一壁的端部的橫截面面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項所述的噴淋板,
還包括第三構(gòu)件,所述第三構(gòu)件包括第三壁,所述第三壁設(shè)置有第三開口并被布置在所述室中,所述第三構(gòu)件被布置在與所述第一構(gòu)件和所述第二構(gòu)件間隔開的位置,并且通過相對于所述第二構(gòu)件移動,在所述第二壁覆蓋所述第一開口中的一個第一開口的一部分的情況下,所述第三構(gòu)件能夠?qū)⑺龅谌_口布置在與所述第一開口中的所述一個第一開口重疊的位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項所述的噴淋板,其中,
所述第一構(gòu)件設(shè)有與所述室連通的供給口,
所述第二構(gòu)件包括支承部,所述支承部連接到所述第二壁,穿過所述供給口并在所述第一構(gòu)件之外被支承,所述第二構(gòu)件通過所述支承部被支承而布置在與所述第一構(gòu)件間隔開的位置。
7.一種處理裝置,包括:
配置部,用于配置對象物;
根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項所述的噴淋板,其中流體被供應(yīng)到所述室,并且所述噴淋板向配置于所述配置部的所述對象物噴出所述流體;
調(diào)整部,能夠調(diào)整向所述室供給的所述流體的供給狀態(tài);以及
驅(qū)動部,相對于所述第一構(gòu)件移動所述第二構(gòu)件,從而將面向所述第二開口的所述第一開口中的一個第一開口替換為所述第一開口中的另一個第一開口。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置,
還包括供給部,所述供給部包括所述調(diào)整部并將所述流體供給到所述室,
當(dāng)所述第二開口面向所述第一開口中的一個第一開口時,所述供給部將第一流體供給到所述室,并且當(dāng)所述第二開口面向所述第一開口中的另一個第一開口時,所述供給部將第二流體供給到所述室。
9.一種噴出方法,包括如下步驟:
相對于包括設(shè)置有多個第一開口的第一壁并且在內(nèi)部設(shè)有與所述多個第一開口連通的室的第一構(gòu)件,移動包括設(shè)置有第二開口并在與所述第一構(gòu)件間隔開的位置設(shè)置在所述室中的第二壁的第二構(gòu)件,從而將面向所述第二開口的所述第一開口中的一個第一開口替換為所述第一開口中的另一個第一開口;以及
將流體供給到所述室,
其中所述第一壁包括第一面,所述第一面面向所述第二壁并與所述第一開口連通,
所述第一構(gòu)件包括面向所述第一面的第二面,
所述第一面與所述第二構(gòu)件之間的距離比所述第二面與所述第二構(gòu)件之間的距離短,
所述第二開口包括在所述第二壁中設(shè)置的多個第二開口,
所述第二開口的總橫截面面積大于在與所述第二開口延伸的方向正交的方向上的所述第二構(gòu)件與所述室的內(nèi)面之間的間隙的橫截面面積,
所述第一開口和所述第二開口為圓形的孔,
所述多個第一開口至少包含與所述第二開口的數(shù)量相等的多個第一噴出口和與所述第二開口的數(shù)量相等的多個第二噴出口,
所述第二構(gòu)件能夠相對于所述第一構(gòu)件移動到第一位置和第二位置,在所述第一位置處所述多個第一噴出口和多個第二開口面向彼此,在所述第二位置處所述多個第二噴出口和多個第二開口面向彼此。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





