[發明專利]光學鄰近校正方法及掩膜版的制作方法

有效

• 申請號: 201810175082.1
• 申請日: 2018-03-02
• 公開（公告）號: CN110221514B
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發明（設計）人: 楊青
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 薛異榮;吳敏

一種光學鄰近校正方法及掩膜版的制作方法，光學鄰近校正方法包括：若第一邊緣誤差在第一閾值范圍外，第二邊緣放置誤差在第一閾值范圍外，第三邊緣放置誤差在第二閾值范圍外或第四邊緣放置誤差在第二閾值范圍外，則根據第一光學鄰近校正模型對第一底部中間修正圖形進行修正且對第二底部中間修正圖形進行修正，直至第一邊緣放置誤差和第二邊緣放置誤差均在第一閾值范圍內且第三邊緣放置誤差和第四邊緣放置誤差均在第二閾值范圍內。所述方法提高了第一修正圖形和第二修正圖形正的精度。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種光學鄰近校正方法及掩膜版的制作方法。

背景技術

光刻技術是半導體制作技術中至關重要的一項技術，光刻技術能夠實現將圖形從掩膜版中轉移到硅片表面，形成符合設計要求的半導體產品。光刻工藝包括曝光步驟、曝光步驟之后進行的顯影步驟和顯影步驟之后的刻蝕步驟。在曝光步驟中，光線通過掩膜版中透光的區域照射至涂覆有光刻膠的硅片上，光刻膠在光線的照射下發生化學反應；在顯影步驟中，利用感光和未感光的光刻膠對顯影劑的溶解程度的不同，形成光刻圖案，實現掩膜版圖案轉移到光刻膠上；在刻蝕步驟中，基于光刻膠層所形成的光刻圖案對硅片進行刻蝕，將掩膜版的圖案進一步轉移至硅片上。

在半導體制造中，隨著設計尺寸的不斷縮小，設計尺寸越來越接近光刻成像系統的極限，光的衍射效應變得越來越明顯，導致最終對設計圖形產生光學影像退化，實際形成的光刻圖案相對于掩膜版上的圖案發生嚴重畸變，最終在硅片上經過光刻形成的實際圖形和設計圖形不同，這種現象稱為光學鄰近效應(OPE：Optical Proximity Effect)。

為了修正光學鄰近效應，便產生了光學鄰近校正(OPC：Optical ProximityCorrection)。光學鄰近校正的核心思想就是基于抵消光學鄰近效應的考慮建立光學鄰近校正模型，根據光學鄰近校正模型設計光掩模圖形，這樣雖然光刻后的光刻圖形相對應光掩模圖形發生了光學鄰近效應，但是由于在根據光學鄰近校正模型設計光掩模圖形時已經考慮了對該現象的抵消，因此，光刻后的光刻圖形接近于用戶實際希望得到的目標圖形。

然而，現有技術中光學鄰近校正獲得的修正圖形的精度較差。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種光學鄰近校正方法及掩膜版的制作方法，以提高第一修正圖形和第二修正圖形正的精度。