[發明專利]操作非易失性存儲器件的方法和非易失性存儲器件

有效

• 申請號: 201810170463.0
• 申請日: 2018-02-28
• 公開（公告）號: CN108573722B
• 公開（公告）日: 2022-12-23
• 發明（設計）人: 崔那榮;樸一漢;宋承桓
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10;G11C7/22;G11C29/42;G06F11/10
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李敬文

一種操作包括存儲單元陣列的非易失性存儲器件的方法，其中所述存儲單元陣列包括多個頁，并且所述多個頁中的每個頁包括多個非易失性存儲單元，使用第一默認讀取電壓和第一偏移讀取電壓來執行第一采樣讀取操作，以對從所述多個頁中選擇的第一頁的第一區域中的存儲單元的第一數量進行計數；以及基于所述第一數量和第一參考值的比較結果，使用第一默認讀取電壓和第二偏移讀取電壓選擇性地執行第二采樣讀取操作，以對所述第一頁的第二區域中的存儲單元的第二數量進行計數。所述第二偏移讀取電壓不同于所述第一偏移讀取電壓。

相關申請的交叉引用

本申請要求2017年3月13日在韓國知識產權局(KIPO)提交的韓國專利申請No.10-2017-0031037的優先權，其公開內容通過引用整體并入本文。

技術領域

示例性實施例大體上涉及半導體存儲器件，更具體地，涉及操作非易失性存儲器件的方法和非易失性存儲器件。

背景技術

半導體存儲器件是用例如但不限于硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)的半導體制造的存儲器件。半導體存儲器件可以根據存儲器件從電源切斷時的數據保持特性而被分類為易失性存儲器和非易失性存儲器。

易失性存儲器可能在斷電時丟失存儲在其中的內容。易失性存儲器包括以下各項：靜態RAM(SRAM)、動態RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)。非易失性存儲器甚至可以在斷電時保留存儲的內容。非易失性存儲器包括以下各項：只讀存儲器(ROM)、可編程ROM(PROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、閃存、相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻RAM(RRAM)和鐵電RAM(FRAM)。

閃存可以具有以下優點：大容量存儲能力、相對較高的抗噪能力和低功耗操作。為了增加存儲容量，閃存可以由每個單元存儲兩個或更多個數據比特的多級單元(multi-level cell)構成。在一個存儲單元中存儲至少兩個或更多個數據比特的情況下，可以增加容納數據比特所需的編程狀態的數量。因此，兩個相鄰的編程狀態之間的讀取裕量可能減小。具有這種減小的讀取裕量的閃存在讀取操作期間可能容易讀取失敗。

另外，從存儲單元讀取的數據包括由于物理因素而導致的錯誤比特，這些物理因素例如是由于制造定標而導致的由相鄰存儲單元產生的編程干擾和讀取干擾。

這種錯誤比特可以使用糾錯方法來糾正。

發明內容

一些示例性實施例旨在提供一種能夠增強性能和數據可靠性的操作非易失性存儲器件的方法。

根據示例性實施例，一種非易失性存儲器件可以包括存儲單元陣列，所述存儲單元陣列包括多個頁。所述多個頁中的每個頁包括多個非易失性存儲單元，所述多個非易失性存儲單元中的每一個存儲多個數據比特，并且所述多個數據比特可以通過不同的閾值電壓彼此區分。響應于從存儲控制器接收的命令和地址，使用第一默認讀取電壓和第一偏移讀取電壓來執行第一采樣讀取操作，以對從所述多個頁中選擇的第一頁的第一區域中的存儲單元的第一數量進行計數?；谒龅谝粩盗亢偷谝粎⒖贾档谋容^結果，使用第一默認讀取電壓和第二偏移讀取電壓選擇性地執行第二采樣讀取操作，以對所述第一頁的第二區域中的存儲單元的第二數量進行計數。所述第二偏移讀取電壓不同于所述第一偏移讀取電壓。