[發(fā)明專利]銀鹽和鈰鹽共摻雜的硫氰酸亞銅復(fù)合薄膜及其制備方法和應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810170285.1 | 申請日： | 2018-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN108793196B | 公開（公告）日： | 2021-08-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐偉;甘營 | 申請（專利權(quán)）人： | 復(fù)旦大學 |
| 主分類號： | C01C3/20 | 分類號： | C01C3/20;G01N21/65;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陸飛;陸尤 |
| 地址： | 200433 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 銀鹽 鈰鹽共 摻雜 氰酸 復(fù)合 薄膜 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明屬于納米結(jié)構(gòu)功能薄膜技術(shù)領(lǐng)域，具體為銀鹽和鈰鹽共摻雜的硫氰酸亞銅復(fù)合薄膜及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明提出銀鹽和鈰鹽共摻雜的硫氰酸亞銅復(fù)合薄膜的制備方法，以硫氰酸亞銅薄膜為前體，依次用硝酸銀水溶液和三氯化鈰水溶液浸泡處理獲得。這種摻雜薄膜有多種用途，其中一個應(yīng)用是作為表面增強拉曼譜的基底，能檢測極微量有機分子，檢測極限濃度達到10?10摩爾/升。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于納米功能薄膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及銀鹽和鈰鹽共摻雜的硫氰酸亞銅復(fù)合薄膜及其制備方法和應(yīng)用。
背景技術(shù)
硫氰酸亞銅（CuSCN）是一種重要的絡(luò)合物半導(dǎo)體。發(fā)明人前期曾發(fā)現(xiàn)氰酸亞銅（CuSCN）薄膜可用做電存儲薄膜，還可以與氫氧化鈉溶液反應(yīng)形成氧化亞銅納米線薄膜。硫氰酸亞銅能夠轉(zhuǎn)化成氧化亞銅這一事例表明，硫氰酸亞銅還有更廣闊的空間來實現(xiàn)多種類型的功能化改造。[（1） Y-W. Dong, X. Ji, W. Xu, J-Q. Tang, P. Guo. ResistiveSwitching and Memory Effect Based on CuSCN Complex Layer Created ThroughInterface Reactions. Electrochem. Solid-State Lett. 2009, 12(3): H54;（2）X.Ji, Y-W. Dong, Z-Q. Huo, and W. Xu, Resistive Switching Memory Based on CuSCNFilms Fabricated by Solution-Dipping Method. Electrochem. Solid-State Lett.2009, 12(9): H344；（3）X.X Xiao, P. Xia, X. Ji, W. Xu. In situ synthesis andcharacterization of Cu2O nanowire networks from CuSCN ?lms. Materials Letters2014, 128: 271-274]。
摻雜是材料改性的一種有效的手段，作為一種絡(luò)合物半導(dǎo)體，化學摻雜比較簡單，成本低，也更容易打開一個新的空間。基于這樣一種簡單的考慮，我們最近嘗試用硝酸銀溶液來處理硫氰酸亞銅薄膜，并成功實現(xiàn)銀摻雜。
本發(fā)明提出用多種化合物來共摻雜絡(luò)合物薄膜，并證明有極優(yōu)異的效果和性能，這種策略能夠為功能材料的修飾和改性開辟一個新的方向。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種銀鹽和鈰鹽共摻雜的硫氰酸亞銅復(fù)合薄膜及其制備方法和應(yīng)用。
本發(fā)明提出的這種銀鹽和鈰鹽共摻雜的硫氰酸亞銅復(fù)合薄膜，通過簡單的化學摻雜來實現(xiàn)。
本發(fā)明提出的銀鹽和鈰鹽共摻雜的硫氰酸亞銅復(fù)合薄膜的制備方法，以硫氰酸亞銅薄膜為前體，通過與銀鹽水溶液和鈰鹽水溶液反應(yīng)，制備銀鹽和鈰鹽共摻雜的硫氰酸亞銅復(fù)合薄膜；具體流程為，將沉積在固態(tài)基底上的硫氰酸亞銅薄膜浸入銀鹽水溶液中，反應(yīng)一段時間，再浸入鈰鹽水溶液中，繼續(xù)反應(yīng)一段時間，從而形成銀鹽和鈰鹽共摻雜的硫氰酸亞銅復(fù)合薄膜。
本發(fā)明中，所述硫氰酸亞銅薄膜由銅膜和可溶性硫氰酸鹽（比如：硫氰酸鈉或者硫氰酸銨）水溶液反應(yīng)制備獲得。
本發(fā)明中，所述銀鹽水溶液的濃度為0.001~0.05摩爾/升。硫氰酸亞銅薄膜與銀鹽水溶液的反應(yīng)時間為5~30分鐘。
本發(fā)明中，所述鈰鹽水溶液的濃度為0.001~0.02摩爾/升。硫氰酸亞銅薄膜與鈰鹽水溶液的反應(yīng)時間為1~10分鐘。
本發(fā)明中，所述銀鹽可采用硝酸銀，硝酸銀水溶液的濃度為0.001~0.05摩爾/升；硫氰酸亞銅薄膜與硝酸銀水溶液的反應(yīng)時間為5~30分鐘。
本發(fā)明中，所述鈰鹽可采用三氯化鈰，三氯化鈰水溶液的濃度為0.001~0.02摩爾/升；硫氰酸亞銅薄膜與三氯化鈰水溶液的反應(yīng)時間為1~10分鐘。
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