[發明專利]顯示基板及其制造方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201810166555.1 | 申請日: | 2018-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN108336118B | 公開(公告)日: | 2020-12-15 |
| 發明(設計)人: | 趙攀;蔣志亮;喬梓 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,包括:
基底,所述基底包括顯示區和位于所述顯示區周圍的非顯示區;
無機層,位于所述基底上,所述無機層包括緩沖層、柵絕緣層、層間介質層、鈍化層中的至少一個;
阻擋壩,位于所述非顯示區中,并且位于所述無機層的遠離所述基底的一側;
至少一個起伏結構,位于所述非顯示區中,并且位于所述基底和所述無機層之間,
其中,所述至少一個起伏結構在所述基底上的正投影位于所述無機層在所述基底上的正投影之內。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其中,
所述至少一個起伏結構在所述基底上的正投影位于所述阻擋壩在所述基底上的正投影之內。
3.根據權利要求1所述的顯示基板,其中,
所述基底包括有機材料,并且
所述至少一個起伏結構為凸起,所述基底和所述凸起接觸。
4.根據權利要求3所述的顯示基板,其中,
所述凸起與所述基底一體成型。
5.根據權利要求1所述的顯示基板,其中,
所述基底包括有機材料,并且
所述至少一個起伏結構為凹陷,所述基底的面向所述無機層的部分配置為所述凹陷。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的顯示基板,其中,
所述至少一個起伏結構在所述基底上的正投影為閉合環形且環繞所述顯示區分布。
7.根據權利要求6所述的顯示基板,其中,
所述至少一個起伏結構包括多個起伏結構,所述多個起伏結構環繞所述顯示區由內向外間隔排布。
8.根據權利要求1-5中任一項所述的顯示基板,其中,
所述至少一個起伏結構沿垂直于其延伸方向的方向截取的截面為扇形、矩形和梯形中的至少一種。
9.根據權利要求1-5中任一項所述的顯示基板,還包括:
無機封裝層,位于所述阻擋壩的遠離所述基底的一側,
其中,所述阻擋壩在所述基底上的正投影位于所述無機封裝層在所述基底上的正投影之內。
10.根據權利要求1-5中任一項所述的顯示基板,還包括:
像素界定層,位于所述顯示區中,
其中,所述阻擋壩與所述像素界定層同層且同材料形成。
11.根據權利要求1-5中任一項所述的顯示基板,還包括:
過渡層,位于所述無機層和所述至少一個起伏結構之間,
其中,所述過渡層包括無機材料,并且所述至少一個起伏結構在所述基底上的正投影位于所述過渡層在所述基底上的正投影之內。
12.一種顯示裝置,包括權利要求1-11中任一項所述的顯示基板。
13.一種顯示基板的制造方法,包括:
提供基底,所述基底包括顯示區和位于所述顯示區周圍的非顯示區;
在所述基底上形成至少一個起伏結構,所述至少一個起伏結構形成在所述非顯示區中;
在形成有所述至少一個起伏結構的所述基底上形成無機層,所述無機層包括緩沖層、柵絕緣層、層間介質層、鈍化層中的至少一個;
在所述無機層上形成阻擋壩,所述阻擋壩形成在所述非顯示區中,
其中,所述至少一個起伏結構在所述基底上的正投影位于所述無機層在所述基底上的正投影之內。
14.根據權利要求13所述的制造方法,其中,
所述至少一個起伏結構在所述基底上的正投影位于所述阻擋壩在所述基底上的正投影之內。
15.根據權利要求13或14所述的制造方法,其中,形成所述至少一個起伏結構包括:
對所述基底的表面進行構圖工藝,以使得所述基底的面向所述無機層的表面部分形成為所述至少一個起伏結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司,未經京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810166555.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:顯示屏以及電子設備
- 下一篇:像素單元、像素結構和顯示面板
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





