[發明專利]一種高致密度高純度碳化硅襯底材料的制備方法有效
| 申請號： | 201810164824.0 | 申請日： | 2018-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN108558405B | 公開（公告）日： | 2021-08-24 |
| 發明（設計）人： | 白秋云 | 申請（專利權）人： | 成都超純應用材料有限責任公司 |
| 主分類號： | C04B35/565 | 分類號： | C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 成都睿道專利代理事務所(普通合伙) 51217 | 代理人： | 薛波 |
| 地址： | 610200 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 致密 純度 碳化硅 襯底 材料 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高致密度高純度碳化硅襯底材料的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：
S1、β-碳化硅和α-碳化硅混合，其中β-碳化硅占β-碳化硅和α-碳化硅質量之和的1-15%；
S2、將步驟S1所得原料置于球磨機內進行混料24小時，然后將粉末取出，過篩后將粉末置于模具中進行熱壓燒結，燒結時先將溫度升高到1200～1300℃，升溫速度控制在5～10℃/min，保溫30～40min，然后再將溫度升高到1500～1600℃，保溫并開始加壓，以2～3MPa/min的速度緩慢加壓，當壓力達到20MPa時，開始保壓，30～35min后緩慢釋放壓力，等泄壓完成，結束保溫，開始以10～15℃/min的降溫速度進行冷卻，制得所述高致密度高純度6H-碳化硅。
2.根據權利要求1所述的高致密度高純度碳化硅襯底材料的制備方法，其特征在于，步驟S1所述β-碳化硅的加入量為α-碳化硅和β-碳化硅總質量的5-10%。
3.根據權利要求1所述的高致密度高純度碳化硅襯底材料的制備方法，其特征在于，步驟S2所述熱壓燒結過程在真空石墨爐中進行。
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