[發明專利]半導體基板和半導體器件

有效

• 申請號: 201810163337.2
• 申請日: 2018-02-27
• 公開（公告）號: CN109524455B
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發明（設計）人: 加藤大望;吉田學史;田島純平;上杉謙次郎;彥坂年輝;湯元美樹;布上真也;蔵口雅彥
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L29/36;H01L29/778
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 程晨

提供一種能夠提高耐壓的半導體基板和半導體器件。根據實施方式，半導體基板包含：第1半導體層，包含Al_x1Ga_1?x1N(0x1≤1)，包含碳和氧；以及第2半導體層，包含Al_x2Ga_1?x2N(0x2x1)，包含碳和氧。所述第2半導體層中的碳濃度相對所述第2半導體層中的氧濃度的第2比是730以上。

本申請以日本專利申請2017-180605(申請日2017年9月20日)為基礎，從該申請享受優先權。本申請通過參考該申請來包含該申請的全部內容。

技術領域

本發明的實施方式涉及一種半導體基板和半導體器件。

背景技術

例如，有如下的半導體基板，其具有形成于硅基板之上的氮化物半導體的緩沖層。使用這種半導體基板來制造半導體器件。在半導體器件中要求提高耐壓。

發明內容

本發明的實施方式提供一種能夠提高耐壓的半導體基板和半導體器件。

根據本發明的實施方式，半導體基板包含：第1半導體層，包含Al_x1Ga_1-x1N(0x1≤1)，包含碳和氧；以及第2半導體層，包含Al_x2Ga_1-x2N(0x2x1)，包含碳和氧。所述第2半導體層中的碳濃度相對所述第2半導體層中的氧濃度的第2比是730以上。

根據本發明的其它實施方式，提供一種半導體器件，具備：半導體基板、包含AlGaN的第4半導體層、第1電極、第2電極以及第3電極，

所述半導體基板包含：

第1半導體層，包含Al_x1Ga_1-x1N(0x1≤1)，包含碳和氧；以及

第2半導體層，包含Al_x2Ga_1-x2N(0x2x1)，包含碳和氧，

所述半導體基板還具備包含GaN的第3半導體層，

所述第2半導體層中的碳濃度相對所述第2半導體層中的氧濃度的第2比是730以上，

所述第2半導體層位于所述第3半導體層與所述第1半導體層之間，

在朝向第3半導體層的第1方向上，所述第3半導體層的至少一部分位于所述第4半導體層與所述第2半導體層之間，

所述第3半導體層包含第1部分區域、第2部分區域以及第3部分區域，

與所述第1方向交叉的第2方向上的所述第3部分區域的位置位于所述第2方向上的所述第1部分區域的位置與所述第2方向上的所述第2部分區域的位置之間，

所述第1電極與所述第1部分區域電連接，

所述第2電極與所述第2部分區域電連接，

在所述第1方向上，所述第3部分區域與所述第3電極分離。

附圖說明

圖1的(a)和圖1的(b)是例示出第1實施方式的半導體基板的示意性截面圖。

圖2是例示出與半導體基板有關的實驗試樣的示意性截面圖。

圖3是例示出與半導體基板有關的實驗結果的圖形。

圖4是例示出半導體基板的特性的圖形。

圖5是例示出半導體基板的特性的圖形。

圖6是例示出半導體基板的特性的圖形。

圖7是例示出第2實施方式的半導體器件的示意性截面圖。