[發(fā)明專利]溝槽式柵極金氧半場(chǎng)效晶體管及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810160754.1
• 申請(qǐng)日: 2018-02-27
• 公開（公告）號(hào): CN109887999A
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡依蕓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 力祥半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/423
• 分類號(hào): H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種溝槽式柵極金氧半場(chǎng)效晶體管，其特征在于，包括：

襯底；

外延層，配置于所述襯底上且具有至少一溝槽；

第一導(dǎo)體層，配置于所述溝槽的下部；

第一絕緣層，配置于所述第一導(dǎo)體層與所述外延層之間；

第二導(dǎo)體層，配置于所述溝槽的上部；以及

第二絕緣層，配置于所述第二導(dǎo)體層與所述第一導(dǎo)體層之間，且具有頂面及底面，其中所述頂面的寬度大于所述底面的寬度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽式柵極金氧半場(chǎng)效晶體管，其特征在于，所述第二絕緣層的所述頂面實(shí)質(zhì)上平坦。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽式柵極金氧半場(chǎng)效晶體管，其特征在于，所述第二絕緣層的剖面為T型。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽式柵極金氧半場(chǎng)效晶體管，其特征在于，所述第二絕緣層包括下絕緣部以及上絕緣部，所述下絕緣部位于所述第一導(dǎo)體層與所述上絕緣部之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的溝槽式柵極金氧半場(chǎng)效晶體管，其特征在于，所述下絕緣部的致密度大于所述上絕緣部的致密度。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的溝槽式柵極金氧半場(chǎng)效晶體管，其特征在于，所述下絕緣部與所述上絕緣部之間的介面不高于所述第一絕緣層的頂面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽式柵極金氧半場(chǎng)效晶體管，其特征在于，所述第二絕緣層的致密度小于所述第一絕緣層的致密度。

8.一種溝槽式柵極金氧半場(chǎng)效晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

襯底上形成外延層；

所述外延層中形成至少一溝槽；

所述溝槽的下部形成第一絕緣層以及第一導(dǎo)體層，其中所述第一絕緣層位于所述第一導(dǎo)體層與所述外延層之間；

所述第一導(dǎo)體層上形成第二絕緣層，所述第二絕緣層具有頂面及底面，其中所述頂面的寬度大于所述底面的寬度；以及

所述溝槽的上部形成第二導(dǎo)體層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的溝槽式柵極金氧半場(chǎng)效晶體管的制造方法，其特征在于，所述溝槽的下部形成所述第一絕緣層以及所述第一導(dǎo)體層的方法包括：

所述溝槽的表面上形成第一絕緣材料層；

所述第一絕緣材料層上形成第一導(dǎo)體材料層，所述第一導(dǎo)體材料層填滿所述溝槽；

使所述第一絕緣材料層的上部的厚度變薄，以形成環(huán)繞所述第一導(dǎo)體材料層的第一開口；以及

移除部分所述第一導(dǎo)體材料層，以形成第二開口，其中所述第二開口的底面低于所述第一開口的底面。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的溝槽式柵極金氧半場(chǎng)效晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)體層上形成所述第二絕緣層的方法包括：形成下絕緣部與上絕緣部，其中所述下絕緣部與所述上絕緣部之間的介面不高于所述第一絕緣層的頂面。