[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810154835.0
• 申請(qǐng)日: 2018-02-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108447851B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳建樺;林弘毅;謝盛祺
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64;H01L23/522;H01F17/00;H01F27/40
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

一種半導(dǎo)體裝置封裝，其包含載體、第一絕緣層、電容器元件、多個(gè)互連結(jié)構(gòu)、多個(gè)基本上平行的頂部側(cè)金屬條以及多個(gè)基本上平行的底部側(cè)金屬條。所述第一絕緣層在所述載體上并且具有第一表面和鄰近于所述載體且與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述第一絕緣層限定多個(gè)貫穿孔。所述電容器元件在所述第一絕緣層中，所述電容器元件包含頂部電極和底部電極。所述多個(gè)互連結(jié)構(gòu)在所述貫穿孔內(nèi)且形成為導(dǎo)電貫穿孔。所述多個(gè)基本上平行的頂部側(cè)金屬條在所述第一絕緣層的所述第一表面上。所述多個(gè)基本上平行的底部側(cè)金屬條在所述第一絕緣層的所述第二表面上。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置。具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及包含集成的無(wú)源組件的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

電感器的品質(zhì)因數(shù)(或Q因數(shù))可以取決于電感器的厚度和線圈面積。形成或安置于載體上的二維(2D)電感器可能并不具有更大的厚度但是可以增大它的線圈面積以達(dá)到相對(duì)較高的Q因數(shù)。然而，尺寸過(guò)大的線圈面積可能在載體上占用巨大空間，這可能不利地影響產(chǎn)品的集成和小型化。三維(3D)電感器(其具有較高穿玻璃通孔/穿硅通孔(TGV/TSV)或銅(Cu)支柱)可具有相對(duì)較高的Q因數(shù)，然而，通過(guò)(例如)鍍覆技術(shù)來(lái)制造較高Cu支柱以及具有較高縱橫比(例如，高與寬的比率)的TGV/TSV可能是具有挑戰(zhàn)性的。此外，Cu支柱或TGV/TSV的大部分是多余的，這是因?yàn)榻涣麟?AC)在導(dǎo)體內(nèi)變得分布為使得在導(dǎo)體的表面附近電流密度最大且在導(dǎo)體中隨著深度的增大而降低(例如，趨膚效應(yīng))的趨勢(shì)。

發(fā)明內(nèi)容

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置封裝包含載體、第一絕緣層、電容器元件、多個(gè)互連結(jié)構(gòu)、多個(gè)基本上平行的頂部側(cè)金屬條以及多個(gè)基本上平行的底部側(cè)金屬條。第一絕緣層在載體上并且具有第一表面和鄰近于載體且與第一表面相對(duì)的第二表面，所述第一絕緣層限定多個(gè)貫穿孔。電容器元件在第一絕緣層中，所述電容器元件包含頂部電極和底部電極。多個(gè)互連結(jié)構(gòu)在貫穿孔內(nèi)且形成為導(dǎo)電貫穿孔。多個(gè)基本上平行的頂部側(cè)金屬條在第一絕緣層的第一表面上。多個(gè)基本上平行的底部側(cè)金屬條在第一絕緣層的第二表面上。導(dǎo)電貫穿孔中的每一個(gè)將多個(gè)頂部側(cè)金屬條中的一個(gè)耦接到多個(gè)底部側(cè)金屬條中的一個(gè)，并且多個(gè)底部側(cè)金屬條中的第一個(gè)電連接到電容器元件的頂部電極且多個(gè)底部側(cè)金屬條中的第二個(gè)電連接到電容器元件的底部電極。

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置包含載體、第一絕緣層、電容器元件、裸片和導(dǎo)電層。第一絕緣層在載體上并且具有第一表面和鄰近于載體且與第一表面相對(duì)的第二表面，所述第一絕緣層限定多個(gè)貫穿孔(所述貫穿孔中的每一個(gè)具有第一側(cè)壁)且限定具有第二側(cè)壁的腔室。電容器元件在第一絕緣層中，所述電容器元件包含頂部電極和底部電極。裸片安置于第一絕緣層的腔室中。導(dǎo)電層包含相應(yīng)地安置在第一側(cè)壁和第二側(cè)壁上的多個(gè)互連結(jié)構(gòu)并且具有多個(gè)頂部連續(xù)部分和多個(gè)底部連續(xù)部分。導(dǎo)電層的互連結(jié)構(gòu)、頂部連續(xù)部分和底部連續(xù)部分形成電感器元件，并且導(dǎo)電層的底部連續(xù)部分的第一個(gè)電連接到電容器元件的頂部電極并且導(dǎo)電層的底部連續(xù)部分的第二個(gè)電連接到電容器元件的底部電極。

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置包含載體、螺旋絕緣層和螺旋導(dǎo)電層。螺旋絕緣層在載體上。螺旋導(dǎo)電層在載體上且圍繞螺旋絕緣層。

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的截面圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置封裝的截面圖。

圖3A和圖3B是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的透視圖。

圖4A、圖4B、圖4C、圖4D和圖4E說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例制造圖1的半導(dǎo)體裝置的方法。

圖5A、圖5B、圖5C、圖5D和圖5E說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例制造圖2的半導(dǎo)體裝置封裝的方法。

圖6A、圖6B、圖6C和圖6D說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例制造半導(dǎo)體裝置封裝的方法。

圖7A和圖7B說(shuō)明明根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的模擬結(jié)果。