[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置的制造方法以及半導(dǎo)體裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810153387.2
• 申請(qǐng)日: 2018-02-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108461401A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 櫻井仁美;秋野勝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 艾普凌科有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/336
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/336;H01L21/66;H01L29/78
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;鄧毅

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該半導(dǎo)體裝置在晶片形狀的半導(dǎo)體襯底上具有柵絕緣膜和柵電極膜，所述半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，包括如下工序：

在所述晶片形狀的半導(dǎo)體襯底上形成柵絕緣膜；

在包含所述柵絕緣膜的所述晶片形狀的半導(dǎo)體襯底的正面的整個(gè)面上形成柵電極膜；

在形成所述柵電極膜的工序之后，在所述晶片形狀的半導(dǎo)體襯底的背面與形成于所述晶片形狀的半導(dǎo)體襯底的正面的整個(gè)面上的所述柵電極膜之間設(shè)置電位差，對(duì)所述柵絕緣膜施加電場(chǎng)，由此對(duì)所述柵絕緣膜進(jìn)行篩選；

對(duì)被實(shí)施了所述篩選的所述晶片形狀的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行判定；以及

在進(jìn)行所述判定的工序之后，對(duì)所述柵電極膜進(jìn)行構(gòu)圖。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在形成所述柵電極膜的工序與進(jìn)行所述篩選的工序之間，具有對(duì)在所述晶片形狀的半導(dǎo)體襯底的背面以及正面周邊部處形成的所述柵電極膜和所述柵絕緣膜進(jìn)行去除的工序，在進(jìn)行所述去除的工序中，使從所述晶片形狀的半導(dǎo)體襯底的端面至所述柵絕緣膜的端面為止的柵絕緣膜去除寬度小于從所述晶片形狀的半導(dǎo)體襯底的端面至所述柵電極膜的端面為止的柵電極膜去除寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在進(jìn)行所述判定的工序中，相對(duì)于所述電場(chǎng)的施加時(shí)間，在流過(guò)所述半導(dǎo)體襯底與所述柵電極膜之間的電流在規(guī)定的施加時(shí)間以前飽和的情況下，判定為合格晶片，在未飽和的情況下，判定為不合格晶片。

4.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

該半導(dǎo)體裝置是通過(guò)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法而制造的。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在進(jìn)行所述判定的工序中，相對(duì)于所述電場(chǎng)的施加時(shí)間，在流過(guò)所述半導(dǎo)體襯底與所述柵電極膜之間的電流在規(guī)定的施加時(shí)間以前飽和的情況下，判定為合格晶片，在未飽和的情況下，判定為不合格晶片。

6.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

該半導(dǎo)體裝置是通過(guò)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法而制造的。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述不合格晶片的比例為規(guī)定值以上的情況下，廢棄與所述不合格晶片同時(shí)處理的同組或同批的晶片。

8.根據(jù)權(quán)利要求3、5、7中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述不合格晶片的比例為規(guī)定值以上的情況下，在所述不合格晶片已經(jīng)經(jīng)過(guò)的個(gè)別工序中確定污染原因并將該污染原因去除。

9.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

該半導(dǎo)體裝置是通過(guò)權(quán)利要求3、5、7中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法而制造的。

10.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：

晶片形狀的半導(dǎo)體襯底，其具有正面和背面；

柵絕緣膜，其僅被設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底的所述正面；以及

柵電極膜，其在所述半導(dǎo)體襯底的所述正面，被設(shè)置在所述柵絕緣膜上，

在所述半導(dǎo)體襯底的所述正面，柵絕緣膜去除寬度小于柵電極膜去除寬度，該柵絕緣膜去除寬度是從所述晶片形狀的半導(dǎo)體襯底的端面至所述柵絕緣膜的端面為止的柵絕緣膜被去除的區(qū)域的寬度，該柵電極膜去除寬度是從所述晶片形狀的半導(dǎo)體襯底的端面至所述柵電極膜的端面為止的柵電極膜被去除的區(qū)域的寬度。