[發明專利]具有熱導柱的集成電路封裝有效
| 申請號： | 201810148937.1 | 申請日： | 2018-02-13 |
| 公開（公告）號： | CN108428679B | 公開（公告）日： | 2022-03-15 |
| 發明（設計）人： | 盧克·G·英格蘭;凱薩琳·C·里維拉 | 申請（專利權）人： | 格芯(美國)集成電路科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/367 | 分類號： | H01L23/367;H01L23/31;H01L25/065;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人： | 程偉;李兵霞 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 導柱 集成電路 封裝 | ||
1.一種集成電路(IC)封裝，包含：
一模塑料，其位在一第一晶粒上且側向鄰接位在該第一晶粒上的一晶粒堆棧，其中，該第一晶粒包括多個連接通孔，該晶粒堆棧形成至該多個連接通孔，且該晶粒堆棧使該第一晶粒電氣耦合至在該晶粒堆棧中的一最上面晶粒；以及
一熱導柱，其從該第一晶粒延伸穿過該模塑料到該模塑料的上表面，其中，該熱導柱直接位在該第一晶粒上且與該多個連接通孔、該晶粒堆棧及該最上面晶粒電氣隔離，以及其中，該熱導柱側向抵接且接觸該模塑料。
2.如權利要求1所述的集成電路封裝，其中，該熱導柱包含銅(Cu)或鋁(Al)中的一者。
3.如權利要求1所述的集成電路封裝，其中，該模塑料包含其中具有二氧化硅(SiO2)或氧化鋁(Al2O3)中的一者的一樹脂材料。
4.如權利要求1所述的集成電路封裝，其中，該熱導柱包含位在該第一晶粒上且與該晶粒堆棧電氣隔離的多個熱導柱中的一者。
5.如權利要求1所述的集成電路封裝，進一步包含多個金屬接觸，其位在該晶粒堆棧與一互連墊之間，其中，該多個金屬接觸使該第一晶粒電氣耦合至該互連墊。
6.如權利要求1所述的集成電路封裝，其中，該熱導柱的上表面經定位成至少高于該第一晶粒有250微米(μm)。
7.如權利要求1所述的集成電路封裝，其中，該熱導柱的上表面與該熱導柱的一側向側壁的深寬比在一比一與二比一之間。
8.一種集成電路(IC)封裝，包含：
一第一晶粒，其耦合至多個金屬接觸且包括多個連接通孔；
一晶粒堆棧，其位在該第一晶粒的該多個連接通孔上且電氣耦合至該多個金屬接觸；
一模塑料，其位在該第一晶粒上且側向鄰接該晶粒堆棧；
一熱導柱，其直接位在該第一晶粒上且延伸穿過該模塑料到該模塑料的上表面，其中，該熱導柱與該多個連接通孔、該晶粒堆棧及該多個金屬接觸電氣隔離，以及其中，該熱導柱側向抵接且接觸該模塑料；以及
一最上面晶粒，其接觸及上覆該晶粒堆棧，其中，該模塑料使該最上面晶粒與該熱導柱電氣隔離。
9.如權利要求8所述的集成電路封裝，其中，該熱導柱包含銅(Cu)或鋁(Al)中的一者。
10.如權利要求8所述的集成電路封裝，其中，該模塑料包含其中具有二氧化硅(SiO2)或氧化鋁(Al2O3)中的一者的一樹脂材料。
11.如權利要求8所述的集成電路封裝，其中，該熱導柱包含位在該第一晶粒上且與該晶粒堆棧電氣隔離的多個熱導柱中的一者。
12.如權利要求8所述的集成電路封裝，其中，該多個金屬接觸使該第一晶粒電氣耦合至位在該多個金屬接觸下面的一互連墊。
13.一種形成集成電路(IC)封裝的方法，該方法包含：
將多個金屬接觸裝在一第一晶粒上，該第一晶粒包括耦合至該多個金屬接觸的多個連接通孔；
形成一熱導柱直接于該第一晶粒上且側向偏離該多個連接通孔，使得該熱導柱與該多個連接通孔電氣隔離；
形成一晶粒堆棧于該多個連接通孔上，致使該晶粒堆棧側向偏離該熱導柱；以及
形成一模塑料于該第一晶粒上，致使該模塑料側向且電氣隔離該熱導柱與該晶粒堆棧，其中，在形成后，該模塑料側向抵接且接觸該熱導柱。
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