[發明專利]駐極電極及其制備方法、駐極裝置

有效

• 申請號: 201810147863.X
• 申請日: 2018-02-12
• 公開（公告）號: CN110164693B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發明（設計）人: 李春曉;朱光;王中林
• 申請（專利權）人: 北京納米能源與系統研究所
• 主分類號: H01G7/02
• 分類號: H01G7/02;B82Y30/00;B82Y15/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種駐極電極，該駐極電極為柔性的導電納米棒陣列，所述導電納米棒陣列包括：

柔性高分子薄膜襯底；

納米棒陣列，形成于柔性高分子薄膜襯底之上，包含若干呈陣列分布的納米棒；以及

導電層，覆蓋于納米棒陣列之上，兩個相鄰納米棒上覆蓋的導電層之間存在距離；

其中，所述納米棒陣列的密度介于10⁴mm^-2～10⁷mm^-2之間。

2.根據權利要求1所述的駐極電極，其中：

所述納米棒的直徑介于90nm～110nm之間；和/或

所述納米棒的長度介于1μm～20μm之間。

3.根據權利要求1所述的駐極電極，其中，所述柔性高分子薄膜襯底的材料為如下材料中的一種：PTFE、Kapton、FEP、PMMA、PS、以及PET。

4.根據權利要求1所述的駐極電極，其中，所述導電層的厚度介于100nm～200nm之間。

5.根據權利要求1所述的駐極電極，其中，所述納米棒陣列與柔性高分子薄膜襯底的材料相同，由柔性高分子薄膜經刻蝕后得到一體化的柔性高分子薄膜襯底與納米棒陣列。

6.一種駐極電極的制備方法，包括：

在柔性高分子薄膜襯底上制作納米掩膜；

對帶有納米掩膜的柔性高分子薄膜襯底進行刻蝕處理，得到納米棒陣列；以及

在納米棒陣列的表面沉積導電材料，得到柔性的導電納米棒陣列；

其中，所述納米棒陣列的密度介于10⁴mm^-2～10⁷mm^-2之間。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其中：

所述柔性高分子薄膜襯底的材料為如下材料中的一種：PTFE、Kapton、FEP、PMMA、PS、以及PET；和/或

所述柔性高分子薄膜襯底的厚度介于50μm～100μm之間；和/或

所述納米掩膜的材料為如下材料中的一種或幾種：Au、Pt、Ti、以及Al；和/或

所述納米掩模的厚度介于5nm～10nm之間。

8.根據權利要求6或7所述的制備方法，其中，所述刻蝕處理采用電感耦合反應離子刻蝕的方式進行，刻蝕速率介于300nm/min～400nm/min之間。

9.一種駐極裝置，該駐極裝置的駐極電極為權利要求1至5任一項所述的駐極電極。