[發(fā)明專利]基板處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810147264.8 | 申請日: | 2018-02-12 |
| 公開(公告)號: | CN108428644B | 公開(公告)日: | 2020-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馮傳彰;劉茂林 | 申請(專利權(quán))人: | 辛耘企業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉雙;李巖 |
| 地址: | 中國臺灣臺北市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于,用以處理一基板,該基板處理裝置包括:
一底座;
一基板載臺,可旋轉(zhuǎn)得和該底座連接,該基板載臺用以固定和旋轉(zhuǎn)該基板;
多個收集單元,環(huán)繞于該基板載臺外圍,該多個收集單元間為固定式設(shè)置,各所述收集單元用以收集處理該基板的一處理液;以及
一阻卻單元,設(shè)置于該基板載臺與該多個收集單元之間,該阻卻單元更包括一第一阻卻部和一第二阻卻部,該第一阻卻部包括一阻卻環(huán)形壁和一液體收集區(qū),該液體收集區(qū)設(shè)置于該阻卻環(huán)形壁的內(nèi)側(cè);當(dāng)其中一收集單元與該基板載臺對應(yīng),且該其中一收集單元收集處理該基板之后流濺的該處理液時,該阻卻單元阻卻其他收集單元收集該處理液,該第一阻卻部阻卻該其中一收集單元的一上緣,該第二阻卻部阻卻該其中一收集單元的一下緣;該阻卻環(huán)形壁將流濺至該第一阻卻部的該處理液導(dǎo)入至該液體收集區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,流濺至該阻卻單元上的該處理液,不再流入該多個收集單元。
3.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,當(dāng)該多個收集單元升降,使得該其中一收集單元與該基板載臺對應(yīng),且該其中一收集單元收集處理該基板之后流濺的該處理液時,該阻卻單元阻卻其他收集單元收集該處理液。
4.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,當(dāng)該基板載臺升降,使得該其中一收集單元與該基板載臺對應(yīng),且該其中一收集單元收集處理該基板之后流濺的該處理液時,該阻卻單元阻卻其他收集單元收集該處理液。
5.如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于,該阻卻單元升降至對應(yīng)該其中一收集單元;該第一阻卻部升降至阻卻該其中一收集單元的該上緣,該第二阻卻部升降至阻卻該其中一收集單元的該下緣。
6.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置,其特征在于,該第二阻卻部環(huán)設(shè)于該基板載臺外側(cè),并與該基板載臺升降連動。
7.如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置,其特征在于,更包括一流體加速單元,該流體加速單元可旋轉(zhuǎn)得設(shè)置于該基板載臺外側(cè),并環(huán)繞設(shè)置于該基板載臺與該第二阻卻部之間;其中該流體加速單元可控制轉(zhuǎn)速,并可相對該基板載臺轉(zhuǎn)動,以將該處理液飛濺至該其中一收集單元。
8.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置,其特征在于,該阻卻單元更包括一第一阻卻部升降件,該第一阻卻部升降件連接該第一阻卻部,并跨越設(shè)置于該多個收集單元的外側(cè)。
9.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,該第一阻卻部具有一環(huán)形腔徑,該環(huán)形腔徑大于該基板載臺;藉此,該基板載臺可相對該第一阻卻部移動,并穿越該第一阻卻部。
10.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,當(dāng)該其中一收集單元與該基板載臺對應(yīng),并收集處理該基板的該處理液時,該阻卻單元阻卻其他收集單元,且該其中一收集單元更集中收集一處理氣體。
11.如權(quán)利要求10所述的基板處理裝置,其特征在于,更包括至少一抽氣單元,該至少一抽氣單元設(shè)置于該多個收集單元的下方,該至少一抽氣單元用以形成一環(huán)形抽氣流,以收集該處理氣體。
12.如權(quán)利要求11所述的基板處理裝置,其特征在于,該至少一抽氣單元依據(jù)工藝而改變該環(huán)形抽氣流的一抽氣強(qiáng)度。
13.如權(quán)利要求11所述的基板處理裝置,其特征在于,更包括一氣壓控制單元,該氣壓控制單元藉由檢測一氣壓值以控制該至少一抽氣單元改變該環(huán)形抽氣流的一抽氣強(qiáng)度。
14.如權(quán)利要求11所述的基板處理裝置,其特征在于,該至少一抽氣單元是環(huán)形得設(shè)置于該多個收集單元的下方,該至少一抽氣單元旋轉(zhuǎn)以帶動該環(huán)形抽氣流。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





