[發明專利]一種內延生長[100]取向TaON自支撐薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201810146344.1 | 申請日： | 2018-02-12 |
| 公開（公告）號： | CN108456924B | 公開（公告）日： | 2019-07-23 |
| 發明（設計）人： | 秦曉燕;李慧亮;王澤巖;黃柏標;張曉陽;王朋;劉媛媛;張倩倩 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | C30B29/22 | 分類號： | C30B29/22;C30B29/66;C30B31/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221 | 代理人： | 王磊 |
| 地址： | 250061 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 自支撐薄膜 制備 取向 生長 氨氣 單晶晶片 混合氣氛 晶體取向 納米棒狀 取向結構 實驗步驟 四氯化碳 一步制備 鉭酸鋰 煅燒 薄膜 | ||
【權利要求書】：
1.一種內延生長[100]取向TaON自支撐薄膜的制備方法，其特征是，將鉭酸鋰單晶晶片在四氯化碳和氨氣的混合氣氛下進行煅燒后，即可獲得內延生長[100]取向TaON自支撐薄膜，其中煅燒的溫度為700～900℃，煅燒時間為2～20h。
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征是，所述四氯化碳采用氬氣進行載氣。
3.如權利要求2所述的制備方法，其特征是，氬氣與四氯化碳的比例為50:1～5:1。
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征是，氨氣的流量為50～1000sccm，Ar-CCl4流量的流量為20～300sccm。
5.如權利要求4所述的制備方法，其特征是，當鉭酸鋰單晶晶片的取向為[012]取向時，氨氣的流量為50～500sccm，Ar-CCl4流量的流量為20～300sccm。
6.如權利要求4所述的制備方法，其特征是，當鉭酸鋰單晶晶片的取向為[100]取向時，氨氣的流量為100～1000sccm，Ar-CCl4流量的流量為50～100sccm。
7.如權利要求1所述的制備方法，其特征是，當鉭酸鋰單晶晶片的取向為[100]取向時，煅燒溫度為700～850℃，煅燒時間為5～15h。
8.如權利要求1所述的制備方法，其特征是，將鉭酸鋰單晶晶片依次采用水、丙酮、異丙醇進行清洗。
9.一種權利要求1～8任一所述的制備方法獲得的TaON自支撐薄膜。
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