[發(fā)明專利]磁盤裝置和寫入方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810145390.X
• 申請(qǐng)日: 2018-02-12
• 公開（公告）號(hào): CN108573714B
• 公開（公告）日: 2019-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 冢原濟(jì);高原真一郎;阿部隆夫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝;東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11B5/596
• 分類號(hào): G11B5/596
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 李崢;劉薇

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，磁盤裝置包括磁盤和控制器，該控制器基于磁盤的第一偏心率計(jì)算第一校正值，并且基于第一校正值寫入第一磁道，其中當(dāng)控制器中斷用于寫入第二磁道的處理以便在第一位置重疊第一磁道時(shí)，控制器測(cè)量磁盤的第二偏心率，并比較第一偏心率與第二偏心率，以及當(dāng)?shù)谝黄穆逝c第二偏心率不同時(shí)，控制器重新開始用于從在徑向方向遠(yuǎn)離第一位置的第二位置寫入第二磁道的處理。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)基于2017年3月7日提交的日本專利申請(qǐng)No.2017-43013，并要求其的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。

技術(shù)領(lǐng)域

在此描述的實(shí)施例一般涉及磁盤裝置和寫入方法。

背景技術(shù)

近年來(lái)，已經(jīng)開發(fā)了各種用于提高磁盤裝置的存儲(chǔ)容量的技術(shù)。在其中一種技術(shù)中，磁盤裝置使用疊瓦式磁記錄(SMR)來(lái)寫入數(shù)據(jù)。在疊瓦式磁記錄中，磁盤裝置將數(shù)據(jù)寫入磁盤，使得當(dāng)前磁道與先前寫入的相鄰磁道(以下簡(jiǎn)稱為相鄰磁道)的一部分重疊。與正常記錄相比，當(dāng)磁盤裝置通過(guò)疊瓦式磁記錄來(lái)寫入數(shù)據(jù)時(shí)，磁盤的磁道密度(每英寸磁道數(shù)：TPI)可被提高。

在磁盤裝置中，通常由于例如磁盤和主軸電機(jī)的附著誤差而產(chǎn)生磁盤偏心率。當(dāng)磁盤偏心率產(chǎn)生時(shí)，會(huì)發(fā)生動(dòng)態(tài)偏移(DO)。具體地，當(dāng)磁盤進(jìn)行一個(gè)回轉(zhuǎn)時(shí)，讀取/寫入偏移值在單個(gè)磁道內(nèi)改變。因此，在磁盤裝置中，在寫入處理中執(zhí)行調(diào)節(jié)R/W偏移值的寫入動(dòng)態(tài)偏移控制(WDOC)以控制動(dòng)態(tài)偏移。當(dāng)磁盤裝置執(zhí)行WDOC時(shí)，裝置測(cè)量偏心率，基于測(cè)量的偏心率計(jì)算校正值，并且基于計(jì)算的校正值執(zhí)行WDOC。磁盤的偏心率狀態(tài)可以通過(guò)外部沖擊等而改變。當(dāng)磁盤的偏心率的狀態(tài)已被改變，磁盤裝置再次測(cè)量偏心率，基于測(cè)量的偏心率計(jì)算校正值，并且基于計(jì)算的校正值執(zhí)行WDOC。

在利用疊瓦式磁記錄的磁盤裝置中，當(dāng)校正值在磁盤的偏心率的狀態(tài)改變之前和之后不同時(shí)，寫入相鄰磁道的數(shù)據(jù)可能被擦除。

發(fā)明內(nèi)容

通常，根據(jù)一種實(shí)施例，磁盤裝置包括：磁盤；磁頭，其將數(shù)據(jù)寫入磁盤并從磁盤讀取數(shù)據(jù)；以及控制器，其基于磁盤的第一偏心率計(jì)算第一校正值，基于第一校正值將第一磁道寫入第一目標(biāo)位置，以及基于第一校正值將第二磁道寫入第二目標(biāo)位置以便重疊第一磁道，該第二目標(biāo)位置在根據(jù)徑向方向的第一方向中與第一目標(biāo)位置相距第一距離，其中當(dāng)控制器中斷用于寫入第二磁道以便在第二磁道的第一位置重疊第一磁道的處理并重新開始從第一位置寫入第二磁道的處理時(shí)，控制器測(cè)量磁盤的第二偏心率并比較第一偏心率與第二偏心率，以及當(dāng)?shù)谝黄穆逝c第二偏心率不同時(shí)，控制器重新開始用于從與第一方向中的第一位置相距第二距離的第二位置寫入第二磁道的處理。

根據(jù)本發(fā)明，可以提供具有改進(jìn)的可靠性的磁盤裝置。

附圖說(shuō)明

圖1是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的磁盤裝置的配置的框圖。

圖2是示出用于寫入數(shù)據(jù)的疊瓦式磁記錄區(qū)域的示例的示意圖。

圖3A是示出當(dāng)不發(fā)生R/W偏移時(shí)磁頭的狀態(tài)的示例的示意圖。

圖3B是示出當(dāng)發(fā)生R/W偏移時(shí)磁頭的狀態(tài)的示例的示意圖。

圖4是示出用于寫入數(shù)據(jù)的處理的控制的示例的示意圖。

圖5示出從帶區(qū)中的磁道的中間位置重新開始的寫入處理的示例。

圖6示出根據(jù)實(shí)施例的從帶區(qū)中的磁道的中間位置重新開始的寫入處理的示例。

圖7是示出根據(jù)實(shí)施例的用于測(cè)量磁盤裝置中的偏心率的處理的示例的流程圖。

圖8是示出根據(jù)實(shí)施例的磁盤裝置的寫入操作的示例的流程圖。

圖9是示出根據(jù)實(shí)施例的用于確認(rèn)寫入數(shù)據(jù)的路徑的處理的示例的流程圖。

具體實(shí)施方式