[發(fā)明專利]作為用于在襯底上形成層的還原劑的二(三甲基甲硅烷基)六元環(huán)系統(tǒng)和相關(guān)化合物有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810145060.0 | 申請日: | 2014-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN108193194B | 公開(公告)日: | 2020-10-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 查爾斯·溫特;約瑟夫·彼得·克萊斯科 | 申請(專利權(quán))人: | 韋恩州立大學(xué) |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/52;C23C16/18;C23C16/20 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 陳萬青;姚開麗 |
| 地址: | 美國密*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 作為 用于 襯底 形成層 還原劑 甲基 硅烷 六元環(huán) 系統(tǒng) 相關(guān) 化合物 | ||
1.一種化合物,所述化合物選自由以下各項(xiàng)組成的組:
其中,R、R1、R1’、R1”、R2、R3、R4和R5各自獨(dú)立地是H、C1-10烷基、C6-14芳基或C4-14雜芳基。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,所述化合物如下式所示:
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,所述化合物如下式所示:
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,所述化合物如下式所示:
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,所述化合物如下式所示:
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,所述化合物如下式所示:
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,所述化合物如下式所示:
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,所述化合物如下式所示:
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,所述化合物如下式所示:
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





