[發(fā)明專利]柔性基材固定方法及柔性基板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810144606.0 | 申請日： | 2018-02-12 |
| 公開（公告）號： | CN108417511A | 公開（公告）日： | 2018-08-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 賀術春;張啟威 | 申請（專利權）人： | 郴州市晶訊光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京紐樂康知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11210 | 代理人： | 黃敏華 |
| 地址： | 423300 湖南省郴州市永興縣*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柔性基材 承載基板 柔性器件 膠水 溫控 自動化生產(chǎn) 后續(xù)加工 加工效率 加熱處理 均勻涂抹 現(xiàn)有設備 固定的 量產(chǎn) 貼附 加熱 節(jié)約 | ||
1.柔性基材固定方法，其特征在于：其包括以下步驟：
步驟一、選擇便于柔性基材（3）后續(xù)加工的承載基板；
步驟二、在承載基板上均勻涂抹一層溫控膠水（2）；
步驟三、加熱承載基板使溫控膠水（2）產(chǎn)生粘性，將柔性基材（3）貼附在承載基板上；
步驟四、繼續(xù)進行加熱處理直至柔性基材（3）與承載基板粘成一體，獲得被固定的柔性基材（3）。
2.根據(jù)權利要求1所述的柔性基材固定方法，其特征在于：所述承載基板設為玻璃基板（1）。
3.根據(jù)權利要求1所述的柔性基材固定方法，其特征在于：在步驟二中，溫控膠水（2）的涂抹厚度為50-100um。
4.根據(jù)權利要求1所述的柔性基材固定方法，其特征在于：在步驟三中，加熱溫度為50℃。
5.根據(jù)權利要求1所述的柔性基材固定方法，其特征在于：在步驟三中，采用覆膜設備將柔性基材（3）覆蓋在承載基板上。
6.根據(jù)權利要求1述的柔性基材固定方法，其特征在于：在步驟四中，加熱處理的溫度為120℃，加熱處理的時間為60分鐘。
7.根據(jù)權利要求1述的柔性基材固定方法，其特征在于：在步驟三和四中，采用熱板進行加熱。
8.根據(jù)權利要求1所述的柔性基材固定方法，其特征在于：還包括步驟五：當被固定的柔性基材（3）后續(xù)加工完畢后，將其置于0℃以下進行柔性基材（3）與承載基板的自動分離。
9.根據(jù)權利要求8所述的柔性基材固定方法，其特征在于：在步驟五中，將被固定的柔性基材（3）置于0℃以下的冷板上，則柔性基材（3）與承載基板自動分離。
10.柔性基板，其特征在于：其包括玻璃基板（1）、柔性基材（3）以及設于二者之間的溫控膠水（2），且采用權利要求1-7中任一項所述的柔性基材固定方法固定成一體。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
