[發(fā)明專利]光學(xué)感測器及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810140509.4 | 申請日: | 2018-02-11 |
| 公開(公告)號: | CN110164882B | 公開(公告)日: | 2021-11-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曾漢良;李新輝 | 申請(專利權(quán))人: | 世界先進(jìn)積體電路股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 湯在彥;郭曉宇 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 感測器 及其 制造 方法 | ||
1.一種光學(xué)感測器,其特征在于,包括:
一影像感測陣列,包括多個像素;
一準(zhǔn)直器層,設(shè)置在該影像感測陣列上,包括對應(yīng)該些像素的多個開口,且該準(zhǔn)直器層包括朝向該影像感測陣列的一第一面及與該第一面相反的一第二面;以及
一遮光層,設(shè)置在該些開口的側(cè)壁以及該第一面上,且該第二面未設(shè)置該遮光層。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測器,其特征在于,該遮光層的材料包括不透明樹脂或深色樹脂。
3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測器,其特征在于,該遮光層在200-1100nm波長下的光吸收率大于99%。
4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測器,其特征在于,該遮光層具有多層結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測器,其特征在于,更包括一濾光層,設(shè)置在該準(zhǔn)直器層的該第一面上及/或在該第二面上。
6.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測器,其特征在于,該些開口的直徑為1-100μm。
7.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測器,其特征在于,該準(zhǔn)直器層的厚度為1-500μm。
8.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測器,其特征在于,更包括一透明材料,設(shè)置在該些開口中。
9.如權(quán)利要求8所述的光學(xué)感測器,其特征在于,該透明材料在200-1100nm波長下的光穿透率大于70%。
10.如權(quán)利要求8所述的光學(xué)感測器,其特征在于,該透明材料包括樹脂或玻璃。
11.一種制造光學(xué)感測器的方法,其特征在于,包括:
提供一影像感測陣列,該影像感測陣列包括多個像素;
在該些像素之間設(shè)置一底部遮光層;
在該影像感測陣列上形成一準(zhǔn)直器層,其中該準(zhǔn)直器層包括對應(yīng)該些像素的多個開口以及背朝該些像素的一頂面;以及
在該些開口的側(cè)壁設(shè)置一遮光層,且該頂面從該遮光層露出。
12.如權(quán)利要求11所述的制造光學(xué)感測器的方法,其特征在于,更包括在設(shè)置該遮光層后,在該些開口中填充一透明材料。
13.如權(quán)利要求11所述的制造光學(xué)感測器的方法,其特征在于,設(shè)置該遮光層包括:
在該準(zhǔn)直器層的上表面及該些開口的底部及側(cè)壁順應(yīng)性地沉積一遮光材料;以及
刻蝕去除該準(zhǔn)直器層上表面及該些開口的底部的該遮光材料,以形成該遮光層。
14.一種制造光學(xué)感測器的方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
在該基板的正面形成多個凹槽;
在該些凹槽的側(cè)壁及底部以及該基板的正面設(shè)置一第一遮光層;
將該基板倒置接合至一影像感測陣列,使該些凹槽朝向該影像感測陣列的多個像素對應(yīng)設(shè)置;以及
從該基板的背面薄化該基板,直到去除該些凹槽的底部的該第一遮光層。
15.如權(quán)利要求14所述的制造光學(xué)感測器的方法,其特征在于,在該些凹槽側(cè)壁及底部設(shè)置該第一遮光層之后、及在將該基板倒置接合至該影像感測陣列之前,更包括在該些凹槽中填充一透明材料,且薄化該基板更包括露出該透明材料。
16.如權(quán)利要求14-15中任一項(xiàng)所述的制造光學(xué)感測器的方法,其特征在于,更包括在薄化該基板后,在該基板的背面設(shè)置一第二遮光層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





