[發明專利]一種發光二極管的在軌性能退化預測方法有效
| 申請號: | 201810139234.2 | 申請日: | 2018-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN108345748B | 公開(公告)日: | 2021-06-15 |
| 發明(設計)人: | 李興冀;楊劍群;劉超銘;劉勇 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號: | G06F30/20 | 分類號: | G06F30/20;G06F119/04 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人: | 宋詩非 |
| 地址: | 150001 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 發光二極管 性能 退化 預測 方法 | ||
1.一種發光二極管的在軌性能退化預測方法,其特征在于,所述在軌性能退化預測方法包括:
步驟一、通過對發光二極管進行地面輻照試驗,獲得具有普適性的發光二極管的性能退化數據隨位移吸收劑量的變化曲線;
步驟二、根據預定的航天器軌道和航天器的設計在軌壽命,計算航天器軌道的位移吸收劑量,航天器軌道的位移吸收劑量即為發光二極管的在軌位移吸收劑量;
步驟三、根據具有普適性的發光二極管的性能退化數據隨位移吸收劑量的變化曲線以及發光二極管的在軌位移吸收劑量,獲得發光二極管的在軌性能退化數據;
具有普適性的發光二極管的性能退化數據隨位移吸收劑量的變化曲線的獲得方法包括:
步驟一一、確定發光二極管的輻照敏感部位的厚度t1;
步驟一二、采用多種帶電粒子分別對多個發光二極管進行地面輻照試驗,并獲得多條發光二極管的光性能參數隨帶電粒子輻照注量的變化曲線;
多個發光二極管的型號均相同;
對于每種帶電粒子,初始能量下的帶電粒子的射程大于或等于4t1且滿足DD>1.4×10-13rad/(1/cm2),其中,DD為帶電粒子在輻照敏感部位的位移損傷能力;
步驟一三、將多條發光二極管的光性能參數隨帶電粒子輻照注量的變化曲線分別轉換為多條發光二極管的性能退化數據隨位移吸收劑量的變化曲線;
步驟一四、將多條發光二極管的性能退化數據隨位移吸收劑量的變化曲線擬合為一條曲線;
該曲線即為具有普適性的發光二極管的性能退化數據隨位移吸收劑量的變化曲線。
2.如權利要求1所述的發光二極管的在軌性能退化預測方法,其特征在于,在步驟一二中,對于每種帶電粒子,至少選擇5個輻照注量點,所述5個輻照注量點均位于106/cm2~1014/cm2的輻照注量區間內。
3.如權利要求2所述的發光二極管的在軌性能退化預測方法,其特征在于,步驟一二通過蒙特卡羅算法確定帶電粒子的初始能量。
4.如權利要求3所述的發光二極管的在軌性能退化預測方法,其特征在于,步驟一三通過蒙特卡羅算法計算初始能量下的帶電粒子的位移損傷能力,進而獲得位移吸收劑量。
5.如權利要求4所述的發光二極管的在軌性能退化預測方法,其特征在于,步驟二通過蒙特卡羅方法計算航天器軌道的位移吸收劑量。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于哈爾濱工業大學,未經哈爾濱工業大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810139234.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





