[發(fā)明專利]低溫等離子體反應(yīng)設(shè)備和分解硫化氫的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810136025.2
• 申請日: 2018-02-09
• 公開（公告）號: CN110127601A
• 公開（公告）日: 2019-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 任君朋;張婧;孫峰;張鐵;徐偉;朱云峰
• 申請（專利權(quán)）人: 中國石油化工股份有限公司;中國石油化工股份有限公司青島安全工程研究院
• 主分類號: C01B3/04
• 分類號: C01B3/04;C01B17/04;B01J19/08
• 代理公司: 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283
• 代理人: 陳靜;嚴(yán)政

1.一種低溫等離子體反應(yīng)設(shè)備，該反應(yīng)設(shè)備具有同軸夾套筒式結(jié)構(gòu)，且該反應(yīng)設(shè)備包括：

內(nèi)筒(1)，所述內(nèi)筒(1)上分別設(shè)置有反應(yīng)物入口(11)和產(chǎn)物出口；

外筒(2)，所述外筒(2)嵌套在所述內(nèi)筒(1)的外部，且所述外筒(2)上分別設(shè)置有導(dǎo)熱介質(zhì)入口(21)和導(dǎo)熱介質(zhì)出口(22)；

中心電極(3)，所述中心電極(3)設(shè)置在所述內(nèi)筒(1)中；

接地電極(4)，形成所述接地電極(4)的材料為固體導(dǎo)電材料，所述接地電極(4)形成內(nèi)筒(1)的至少部分側(cè)壁或者所述接地電極(4)環(huán)繞設(shè)置在所述內(nèi)筒(1)的內(nèi)側(cè)壁上；以及

阻擋介質(zhì)(6)，所述阻擋介質(zhì)(6)環(huán)繞設(shè)置在所述中心電極(3)和所述接地電極(4)之間，且分別與所述中心電極(3)和所述接地電極(4)之間的距離均大于0，以及所述阻擋介質(zhì)的設(shè)置位置使得所述中心電極和所述接地電極之間的放電區(qū)域由所述阻擋介質(zhì)間隔；

其中，所述中心電極(3)的外側(cè)壁與所述接地電極的內(nèi)側(cè)壁之間的距離為d1，以及所述阻擋介質(zhì)(6)的厚度為D₁，且L₁＝d1-D₁，且L₁與D₁的比例關(guān)系為：L₁：D₁＝(0.05～100)：1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫等離子體反應(yīng)設(shè)備，其中，L₁：D₁＝(0.1～30)：1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫等離子體反應(yīng)設(shè)備，其中，所述阻擋介質(zhì)(6)固定連接所述內(nèi)筒(1)的頂部和/或底部；優(yōu)選地，

所述阻擋介質(zhì)(6)中固定連接所述內(nèi)筒(1)的一端設(shè)置有孔結(jié)構(gòu)，使得所述內(nèi)筒(1)中的反應(yīng)物和產(chǎn)物能夠由所述孔結(jié)構(gòu)進(jìn)入或引出。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項所述的低溫等離子體反應(yīng)設(shè)備，其中，所述內(nèi)筒(1)的個數(shù)為1個。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項所述的低溫等離子體反應(yīng)設(shè)備，其中，所述內(nèi)筒(1)的個數(shù)為2個以上，且各個所述內(nèi)筒(1)中分別設(shè)置有所述中心電極(3)、所述接地電極(4)和所述阻擋介質(zhì)(6)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低溫等離子體反應(yīng)設(shè)備，其中，各個所述中心電極(3)并聯(lián)連接；優(yōu)選地，

各個所述接地電極(4)并聯(lián)連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項所述的低溫等離子體反應(yīng)設(shè)備，其中，形成所述阻擋介質(zhì)的材料為電絕緣材料；優(yōu)選地，

形成所述阻擋介質(zhì)的材料選自玻璃、石英、陶瓷、搪瓷、聚四氟乙烯和云母中的至少一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項所述的低溫等離子體反應(yīng)設(shè)備，其中，該反應(yīng)設(shè)備還包括接地線(5)，所述接地線設(shè)置在所述外筒(2)的外側(cè)壁，且一端與所述接地電極(4)連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項所述的低溫等離子體反應(yīng)設(shè)備，其中，所述反應(yīng)物入口(11)設(shè)置在所述內(nèi)筒(1)的上部，所述產(chǎn)物出口設(shè)置在所述內(nèi)筒(1)的下部和/或底部。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的低溫等離子體反應(yīng)設(shè)備，其中，所述產(chǎn)物出口包括氣體產(chǎn)物出口(12)和液體產(chǎn)物出口(13)，且所述氣體產(chǎn)物出口(12)設(shè)置在所述內(nèi)筒(1)的下部，以及所述液體產(chǎn)物出口(13)設(shè)置在所述內(nèi)筒(1)的底部。