[發(fā)明專利]修復(fù)太陽(yáng)能電池的裝置和方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810132648.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-02-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110137276A | 公開(公告)日: | 2019-08-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張陸成 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 張陸成 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0224 | 分類號(hào): | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京瑞恒信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11382 | 代理人: | 黃慶芳 |
| 地址: | 414109 湖南*** | 國(guó)省代碼: | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽(yáng)能電池 氧化銀 表面電極 反應(yīng)室 修復(fù) 氣體提供單元 電導(dǎo)率 銀化合物 容納 室內(nèi) | ||
1.一種修復(fù)太陽(yáng)能電池的裝置,所述太陽(yáng)能電池包括表面電極,所述表面電極包括銀和氧化銀,所述裝置包括:
反應(yīng)室,在其內(nèi)部容納所述太陽(yáng)能電池;和
氣體提供單元,其向所述反應(yīng)室提供氣體;
在所述反應(yīng)室內(nèi),所述氣體與所述氧化銀反應(yīng),生成電導(dǎo)率高于氧化銀的銀化合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,
所述反應(yīng)室為包括進(jìn)氣口和排氣口的封閉腔體,所述太陽(yáng)能電池位于所述封閉腔體內(nèi)的支架上,
所述氣體提供單元包括存儲(chǔ)所述氣體的氣罐或存儲(chǔ)能夠揮發(fā)出所述氣體的溶液的容器,所述氣體經(jīng)所述進(jìn)氣口進(jìn)入所述反應(yīng)室,經(jīng)過反應(yīng)后,從所述排氣口排出。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,
所述反應(yīng)室為封閉腔體,所述太陽(yáng)能電池位于所述封閉腔體內(nèi)的支架上,
所述氣體提供單元包括位于所述反應(yīng)室內(nèi)的容器,在所述容器內(nèi)容納能夠揮發(fā)出所述氣體的溶液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,
所述反應(yīng)室包括進(jìn)氣口、排氣口、輸送帶、輸入口和輸出口,所述反應(yīng)室內(nèi)的氣壓低于大氣壓,所述太陽(yáng)能電池通過所述輸送帶從所述輸入口進(jìn)入所述反應(yīng)室,經(jīng)過反應(yīng)后,從所述輸出口離開所述反應(yīng)室,
所述氣體提供單元包括存儲(chǔ)所述氣體的氣罐或存儲(chǔ)能夠揮發(fā)出所述氣體的溶液的容器,所述氣體經(jīng)所述進(jìn)氣口進(jìn)入所述反應(yīng)室,經(jīng)過反應(yīng)后,從所述排氣口排出。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,
所述反應(yīng)室包括進(jìn)氣口和排氣口,并位于燒結(jié)爐內(nèi)進(jìn)行燒結(jié)工藝的下游側(cè),所述反應(yīng)室內(nèi)的氣壓低于大氣壓,所述太陽(yáng)能電池在燒結(jié)后進(jìn)入所述反應(yīng)室,經(jīng)過反應(yīng)后,從所述反應(yīng)室離開,
所述氣體提供單元包括存儲(chǔ)所述氣體的氣罐或存儲(chǔ)能夠揮發(fā)出所述氣體的溶液的容器,所述氣體經(jīng)所述進(jìn)氣口進(jìn)入所述反應(yīng)室,經(jīng)過反應(yīng)后,從所述排氣口排出。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,
所述反應(yīng)室為包括排氣口的通風(fēng)櫥,
所述氣體提供單元包括容器和排氣口,在所述容器內(nèi)容納能夠揮發(fā)出所述氣體的溶液,
所述太陽(yáng)能電池前面朝下至于所述容器上,反應(yīng)后的廢氣經(jīng)由所述排氣口排出。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6的任一項(xiàng)所述的裝置,其中,
所述氣體是包含鹵素元素、硫元素或乙酸的氣體,所述銀化合物是鹵化銀、硫化銀或乙酸銀。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置,其中,
所述氣體是HF、HCl、氟化氫銨、H2S或乙酸,所述銀化合物是氟化銀、氯化銀、硫化銀或乙酸銀。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-6的任一項(xiàng)所述的裝置,其中,
所述反應(yīng)室的溫度在反應(yīng)前期小于100℃,在反應(yīng)后期為100℃以上。
10.一種修復(fù)太陽(yáng)能電池的方法,所述太陽(yáng)能電池包括表面電極,所述表面電極包括銀和氧化銀,所述方法包括:
將所述太陽(yáng)能電池至于反應(yīng)室內(nèi);和
向所述反應(yīng)室提供氣體;
在所述反應(yīng)室內(nèi),所述氣體與所述氧化銀反應(yīng),生成電導(dǎo)率高于氧化銀的銀化合物。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





