[發(fā)明專利]電源采樣電路及包括其的零功耗上電復(fù)位電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810121063.0
• 申請(qǐng)日: 2018-02-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108418573A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅杰;魯華祥;楊文軒;李文昌;王彥虎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
• 主分類號(hào): H03K17/22
• 分類號(hào): H03K17/22
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

本公開(kāi)提供了一種電源采樣電路及包括其的零功耗上電復(fù)位電路。其中，該電源采樣電路包括：第一NMOS，其柵極與自身的源極連接；第一PMOS，其柵極與自身的漏極連接，其漏極同時(shí)與所述第一NMOS的漏極連接；第一電阻，其第一端與所述第一PMOS的源極連接；第一電容，其第一端與所述第一NMOS的源極連接，其第二端與所述第一PMOS的漏極連接；第二NMOS，其源極與所述第一電容的第一端連接，其柵極與所述第一電容的第二端連接；以及第二電容，其第一端與所述第二NMOS的漏極連接，其第二端與所述第一電阻的第二端連接。本公開(kāi)電源采樣電路及包括其的零功耗上電復(fù)位電路，對(duì)電源的上電時(shí)間長(zhǎng)短依賴度低，具有工藝跟隨特性。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及電路領(lǐng)域，具體涉及一種零功耗、對(duì)電源的上電時(shí)間長(zhǎng)短依賴度低和工藝跟隨的電源采樣電路及包括其的上電復(fù)位電路。

背景技術(shù)

上電復(fù)位電路是電路系統(tǒng)中普遍使用的基本模擬模塊。當(dāng)電路系統(tǒng)的功耗預(yù)算比較苛刻的情況下，零靜態(tài)功耗的上電復(fù)位電路是一個(gè)必然選擇。然而，要實(shí)現(xiàn)零靜態(tài)功耗也是需要付出代價(jià)的，比如增加反饋控制信號(hào)來(lái)控制電源采樣電路的開(kāi)關(guān)，反饋控制信號(hào)的正確性必須得到保證，當(dāng)上電復(fù)位電路在沒(méi)有達(dá)到翻轉(zhuǎn)閾值和超過(guò)翻轉(zhuǎn)閾值兩種狀態(tài)下保證電源采樣電路打開(kāi)和關(guān)閉。

常規(guī)做法的零靜態(tài)功耗上電復(fù)位電路如圖1所示，該電路由VDD采樣電路，POR狀態(tài)翻轉(zhuǎn)鎖存輸出驅(qū)動(dòng)電路和Brown Out復(fù)位電路組成。該電路工作過(guò)程：當(dāng)VDD在上電時(shí)控制信號(hào)POR EN為‘0’，VDD采樣電路的開(kāi)關(guān)管MP1打開(kāi)，經(jīng)過(guò)電阻R1和R2對(duì)VDD電壓進(jìn)行分壓，當(dāng)節(jié)點(diǎn)VDD DET電壓達(dá)到上電復(fù)位電路設(shè)計(jì)的翻轉(zhuǎn)閾值時(shí)狀態(tài)翻轉(zhuǎn)并將狀態(tài)鎖存起來(lái)，同時(shí)控制信號(hào)POR EN為‘1’，VDD采樣電路的開(kāi)關(guān)管MP1關(guān)閉，此時(shí)VDD到VSS的通路被關(guān)斷靜態(tài)功耗為零，POR輸出；當(dāng)VDD下電達(dá)到設(shè)計(jì)閾值時(shí)，Brown Out復(fù)位電路工作將POR狀態(tài)翻轉(zhuǎn)鎖存電路進(jìn)行復(fù)位，此時(shí)控制信號(hào)POR EN從‘1’轉(zhuǎn)變?yōu)椤?’，VDD采樣電路的開(kāi)關(guān)管MP1再次打開(kāi)等待下次VDD上電過(guò)程。該電路存在的不足是要保證控制信號(hào)POR EN在電源VDD上電和下電過(guò)程中狀態(tài)的正確性，否則將不能完成上電復(fù)位的功能，現(xiàn)有復(fù)位電路為了達(dá)到該目的電路使用了較復(fù)雜的設(shè)計(jì)。

發(fā)明內(nèi)容

(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題

為了解決或者至少部分緩解上述技術(shù)問(wèn)題，本公開(kāi)提供了一種電源采樣電路及包括其的零功耗上電復(fù)位電路，其對(duì)電源的上電時(shí)間長(zhǎng)短依賴度低，具有工藝跟隨特性。

(二)技術(shù)方案

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，提供了一種電源采樣電路，包括：第一NMOS，其柵極與其自身的源極連接；第一PMOS，其柵極與其自身的漏極連接，且其漏極同時(shí)與所述第一NMOS的漏極連接；第一電阻，其第一端與所述第一PMOS的源極連接；第一電容，其第一端與所述第一NMOS的源極連接，其第二端與所述第一PMOS的漏極連接；第二NMOS，其源極與所述第一電容的第一端連接，其柵極與所述第一電容的第二端連接；以及第二電容，其第一端與所述第二NMOS的漏極連接，其第二端與所述第一電阻的第二端連接。

在一些實(shí)施例中，所述第一NMOS的柵極接地。

根據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)方面，一種零功耗上電復(fù)位電路，其包括所述的電源采樣電路，還包括POR狀態(tài)翻轉(zhuǎn)電路，與所述電源采樣電路連接。