[發(fā)明專利]包括標(biāo)準(zhǔn)單元的集成電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810118892.3 | 申請日: | 2018-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN108400135A | 公開(公告)日: | 2018-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金仁謙;金夏永;宋泰中;鄭鐘勛;梁箕容;林辰永 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 標(biāo)準(zhǔn)單元 虛設(shè)區(qū)域 單元區(qū)域 電源軌 源區(qū)域 集成電路 晶體管配置 電連接 晶體管 延伸 供電 配置 | ||
本發(fā)明提供一種集成電路(IC),該IC可以包括多個標(biāo)準(zhǔn)單元。該多個標(biāo)準(zhǔn)單元中的至少一個標(biāo)準(zhǔn)單元可以包括:電源軌,配置為向所述至少一個標(biāo)準(zhǔn)單元供電,電源軌在第一方向上延伸;包括至少一個晶體管的單元區(qū)域,該至少一個晶體管配置為確定所述至少一個標(biāo)準(zhǔn)單元的功能;第一虛設(shè)區(qū)域和第二虛設(shè)區(qū)域,分別與單元區(qū)域的在第一方向上的兩側(cè)相鄰;以及有源區(qū)域,跨單元區(qū)域、第一虛設(shè)區(qū)域和第二虛設(shè)區(qū)域地在第一方向上延伸。有源區(qū)域的包括在第一虛設(shè)區(qū)域或第二虛設(shè)區(qū)域中的區(qū)域電連接到電源軌。
技術(shù)領(lǐng)域
與示例實(shí)施方式一致的裝置和方法涉及集成電路(IC),更具體地,涉及包括標(biāo)準(zhǔn)單元的IC,該標(biāo)準(zhǔn)單元包括虛設(shè)區(qū)域。
背景技術(shù)
IC可以基于標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)。具體地,標(biāo)準(zhǔn)單元可以基于限定IC的數(shù)據(jù)來布置,并被布線以生成IC的布局。隨著半導(dǎo)體的小型化,標(biāo)準(zhǔn)單元中的圖案的尺寸和標(biāo)準(zhǔn)單元的尺寸會在制造工藝期間減小。因此,標(biāo)準(zhǔn)單元的外圍結(jié)構(gòu)(即,外圍布局)對標(biāo)準(zhǔn)單元的影響會提高。外圍布局的影響可以被稱為局部布局效應(yīng)(LLE)或布局依賴效應(yīng)(LDE)。
發(fā)明內(nèi)容
一個或更多個示例實(shí)施方式提供一種包括標(biāo)準(zhǔn)單元的集成電路(IC),該標(biāo)準(zhǔn)單元包括虛設(shè)區(qū)域。更具體地,提供了考慮到局部布局效應(yīng)(LLE)而在其中定位包括虛設(shè)區(qū)域的標(biāo)準(zhǔn)單元的IC。
根據(jù)一示例實(shí)施方式的一方面,提供一種包括多個標(biāo)準(zhǔn)單元的IC。所述多個標(biāo)準(zhǔn)單元中的至少一個標(biāo)準(zhǔn)單元可以包括:電源軌,配置為向所述至少一個標(biāo)準(zhǔn)單元供電,該電源軌在第一方向上延伸;包括至少一個晶體管的單元區(qū)域,該至少一個晶體管配置為確定所述至少一個標(biāo)準(zhǔn)單元的功能;第一虛設(shè)區(qū)域和第二虛設(shè)區(qū)域,分別與單元區(qū)域的在第一方向上的兩側(cè)相鄰;以及有源區(qū)域,跨單元區(qū)域、第一虛設(shè)區(qū)域和第二虛設(shè)區(qū)域地在第一方向上延伸。有源區(qū)域的被包括在第一虛設(shè)區(qū)域和第二虛設(shè)區(qū)域中的至少一個中的區(qū)域可以電連接到電源軌。
根據(jù)一示例實(shí)施方式的一個方面,提供一種包括多個標(biāo)準(zhǔn)單元的IC。所述多個標(biāo)準(zhǔn)單元中的至少一個標(biāo)準(zhǔn)單元可以包括:包括至少一個晶體管的單元區(qū)域,該至少一個晶體管配置為確定所述至少一個標(biāo)準(zhǔn)單元的功能;第一虛設(shè)區(qū)域和第二虛設(shè)區(qū)域,分別與單元區(qū)域的在第一方向上的兩側(cè)相鄰;以及有源區(qū)域,跨單元區(qū)域、第一虛設(shè)區(qū)域和第二虛設(shè)區(qū)域地在第一方向上延伸。有源區(qū)域可以包括在垂直于第一方向的第二方向上彼此間隔開并在第一方向上彼此平行地延伸的第一有源區(qū)域和第二有源區(qū)域。提供在第一虛設(shè)區(qū)域中的第一有源區(qū)域和第二有源區(qū)域中的至少一個被偏置。提供在第二虛設(shè)區(qū)域中的第一有源區(qū)域和第二有源區(qū)域中的至少一個可以被偏置。
根據(jù)一示例實(shí)施方式的一方面,提供一種包括多個標(biāo)準(zhǔn)單元的IC。所述多個標(biāo)準(zhǔn)單元中的至少一個標(biāo)準(zhǔn)單元可以包括:第一電源軌和第二電源軌,每個電源軌在第一方向上延伸以向所述至少一個標(biāo)準(zhǔn)單元供電,第一電源軌和第二電源軌在垂直于第一方向的第二方向上彼此間隔開;包括至少一個晶體管的單元區(qū)域,該至少一個晶體管配置為確定所述至少一個標(biāo)準(zhǔn)單元的功能;虛設(shè)區(qū)域,與單元區(qū)域的在第一方向上的側(cè)部相鄰;以及有源區(qū)域,跨單元區(qū)域在第一方向上延伸。有源區(qū)域可以包括在第二方向上彼此間隔開并在第一方向上彼此平行地延伸的第一有源區(qū)域和第二有源區(qū)域。提供在虛設(shè)區(qū)域中的第一有源區(qū)域可以電連接到第一電源軌,提供在虛設(shè)區(qū)域中的第二有源區(qū)域可以電連接到第二電源軌。
附圖說明
通過以下結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述,以上和/或其它方面將被更清楚地理解,附圖中:
圖1A示出根據(jù)示例實(shí)施方式的集成電路(IC)中包括的標(biāo)準(zhǔn)單元的布局;
圖1B是沿著圖1A的線L-L'截取的剖視圖;
圖2是根據(jù)一示例實(shí)施方式的IC中包括的標(biāo)準(zhǔn)單元的電路圖;
圖3A示出根據(jù)一示例實(shí)施方式的IC的布局;
圖3B是沿著圖3A的線M-M'截取的剖視圖;
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 積木式包裝機(jī)
- 標(biāo)準(zhǔn)單元庫版圖設(shè)計(jì)方法、布局方法及標(biāo)準(zhǔn)單元庫
- 標(biāo)準(zhǔn)單元庫版圖設(shè)計(jì)規(guī)則檢查驗(yàn)證方法
- 包括標(biāo)準(zhǔn)單元的半導(dǎo)體器件
- 一種標(biāo)準(zhǔn)單元庫版圖設(shè)計(jì)規(guī)則驗(yàn)證方法
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- 用于寄生參數(shù)提取的添加的版圖單元
- 一種標(biāo)準(zhǔn)單元庫驗(yàn)證方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)
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