[發明專利]一種氣體放電反應器的電極絕緣結構和絕緣方法在審
| 申請號: | 201810109799.6 | 申請日: | 2018-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN110064352A | 公開(公告)日: | 2019-07-30 |
| 發明(設計)人: | 黃立維;黃華麗 | 申請(專利權)人: | 黃華麗 |
| 主分類號: | B01J19/08 | 分類號: | B01J19/08;B01J19/00 |
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| 地址: | 310012 浙江省杭*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 絕緣 絕緣結構 氣體放電 反應器 電極 電極棒 反應器殼體 防水管 套管 大氣污染控制 環境保護技術 電氣絕緣 多層絕緣 干燥氣流 氣流進口 水汽 對電極 防水罩 隔離圈 固定盤 液滴 | ||
一種氣體放電反應器的電極絕緣結構和絕緣方法,屬于大氣污染控制和環境保護技術領域,其特征在于所述的電極絕緣結構由套管、氣流進口、固定盤、防水管和防水罩組成,所述防水管外表設置有多層絕緣隔離圈,所述的套管與電極棒之間還通入干燥氣流,使電極棒與反應器殼體之間得到有效絕緣,從而防止了氣體放電反應器內的水汽和液滴對電極絕緣的影響,達到了電極棒與反應器殼體之間的電氣絕緣效果。
技術領域
本發明涉及一種氣體放電反應器的電極絕緣結構和絕緣方法,特別涉及氣體放電反應器的電極與反應器殼體的絕緣,屬于大氣污染控制和環境保護技術領域。
背景技術
氣體放電是一項新型廢氣治理和氣體分子重組技術,其基本原理是利用氣體放電產生大量高能電子、原子和自由基。這些高能電子、原子和自由基與氣體中的目標氣體分子反應并使其氧化或轉化。需要施加高電壓的正(或負)電極對來實現氣體放電。本發明申請人也已公開了相關方法和裝置(公開號CN107398144A和CN107417493A)用于處理氣流中的有害氣體。在實際應用中,由于氣流中常常含有水分和較高的濕度,放電電極與反應器殼體之間的絕緣對放電反應器的正常工作尤為重要,通常采用絕緣子絕緣的方法并不適合。本發明的目的是設計和提供一種氣體放電反應器的電極絕緣結構和絕緣方法,以解決反應器內高濕和有噴淋水條件下的電極與反應器殼體的絕緣問題。
發明內容
本發明采用的技術方案為:一種氣體放電反應器的電極絕緣結構,其特征在于所述的電極絕緣結構由電極棒、套管、氣流進口、固定盤、防水管和防水罩組成,所述套管穿過反應器殼體,其中一端在反應器殼體外,另一端在反應器內,所述的電極棒通過套管與反應器內的放電電極連接,另一端與高壓電源連接,并密封,所述反應器殼體外的套管還設置有氣流進口以導入干燥氣流,所述電極棒與套管間存在間隙以便氣流流過,外端密封,所述反應器殼體內的套管一端與固定盤連接,所述固定盤上設置有防水套管和防水罩。
本發明所述的一種氣體放電反應器的電極絕緣結構的絕緣方法,其特征在于所述的電極絕緣結構設置有防水套管和防水罩以防止放電反應器內氣流中的水滴進入套管,同時通過所述的套管上的氣流進口向反應器內所述電極棒與套管間的間隙導入氣流,使電極棒與防水管之間充滿干燥氣流,從而達到了所述的電極棒與反應器殼體間的電氣絕緣的效果。
本發明所述的電極棒,由導電棒和絕緣層組成,所述導電棒一般為導電性能好的不銹鋼等金屬材料,形狀一般為圓形,也可以是方形等其他形狀,效果相當,所述絕緣層一般可采用環氧、硅膠、尼龍、四氟乙烯和陶瓷等絕緣性能好的材料,具體可視耐壓、強度等具體情況選用,具體可參看相關設計手冊。所述電極棒與絕緣層間一般應配合緊密,絕緣層的長度應大于所述套管長度,電極棒的絕緣層端口與套管端口之間的距離一般應不小于兩相鄰電極的距離。
本發明所述的套管、固定盤、防水管和防水罩的材料需要有一定強度,一般可為陶瓷、PVC等不燃或阻燃材料,也可采用環氧樹脂、硅膠、尼龍和四氟乙烯等絕緣性能好的材料,也可采用金屬材料。所述套管與電極棒之間的間隙距離可根據需要設定,以利氣流通過,所述間隙距離大,需要的干燥氣流就大,優選2-10mm。固定盤一般固定在套管上,以利整體安裝,也可以固定在反應器殼體或塔體上,用于安裝防水管和防水罩,防水罩可為半圓型、半橢圓形等結構,以利上方的水滴或水流能順利流下,防水管一般為圓筒型,也可以是方形等其他形狀,效果相當,所述防水罩的長度和寬度均應大于防水管的長度和寬度,優選2倍以上,兩者之間應保持一定距離,具體可依據所述防水罩和防水管的尺寸確定,無特殊要求,優選30-100mm。所述防水管內壁與電極棒之間的距離一般應不小于兩相鄰電極的距離的一半,優選1.1-2倍,如采用金屬材料作為防水管時,防水管內壁與電極棒之間的距離應適當加大一些。所述防水管內壁與電極棒的距離也與施加電極的電壓有一定關系,施加電壓越高,防水管與電極棒間距就越大。一般電壓增加約5kV,所述防水管內壁與電極棒的距離一般應增大10mm以上。
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