[發(fā)明專利]一種用于芯片管腳的電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810106736.5 | 申請日: | 2018-02-02 |
| 公開(公告)號: | CN110138375B | 公開(公告)日: | 2021-08-27 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王玨;黃倫學 | 申請(專利權)人: | 華為技術有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/003 | 分類號: | H03K19/003 |
| 代理公司: | 深圳市深佳知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 王仲凱 |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 芯片 管腳 電路 | ||
本申請公開了一種用于芯片管腳的電路,釋放芯片管腳上的電壓,保護芯片中的電子器件不被損壞。本申請方法包括:第一晶體管、第二晶體管、第一子電路、第二子電路和第三子電路;所述第一晶體管的第一極與所述第二晶體管的第一極連接并連接至芯片管腳,所述第一晶體管的第二極連接至電源正極,所述第二晶體管的第二極連接至電源負極;所述第一子電路連接于所述電源正極和所述電源負極之間,所述第一子電路連接至所述第一晶體管的第三極和所述第二晶體管的第三極;所述第二子電路連接于所述電源正極與所述芯片管腳之間;所述第三子電路連接于所述芯片管腳和所述電源負極之間,用于將所述芯片管腳上的正電壓釋放到所述電源負極。
技術領域
本申請涉及芯片技術領域,尤其涉及一種用于芯片管腳的電路。
背景技術
芯片管腳(Pin),又稱為芯片引腳,是從芯片內(nèi)部電路引出與芯片外部電路之間的接口。芯片管腳分為輸入或輸出管腳,輸入管腳用于將外部電路的信號輸入至芯片內(nèi)部電路,輸出管腳用于將芯片內(nèi)部電路的信號輸出至芯片外部電路。
目前,芯片輸入輸出(input output,IO)管腳內(nèi)部的輸出電路結構主要由兩個金屬氧化物半導體(metal oxide semiconductor,MOS)管構成,兩個MOS管的漏極相連并進一步連接至芯片管腳。第一個MOS晶體管與IO電源連接,第二個MOS晶體管與接地端連接。當芯片管腳上存在可能形成破壞的電壓,如靜電放電(electro static discharge,ESD)電壓,則需要對此形成有效保護。因此,當該電壓為正電壓時,該第一MOS晶體管的寄生二極管將正電壓釋放到IO電源上,以將芯片管腳上的正電壓釋放掉,防止其影響芯片管腳信號的正常輸出,因此寄生二極管起到了防止管腳損壞的功能。由于IO電源上連接有大量其他器件,因此將芯片管腳上的正電壓釋放到IO電源上,會導致電路系統(tǒng)正常工作受到影響。
由此,在上述輸出電路結構的基礎上增加了防倒灌處理電路,該防倒灌處理電路用于截斷芯片管腳與IO電源之間的正電壓泄放通道,防止芯片管腳上的正電壓被釋放到IO電源上,以保證電路系統(tǒng)的正常工作。但是防倒灌處理電路在避免正電壓泄放通道對IO電源造成影響的同時,也無法實現(xiàn)防止管腳損壞的功能。
發(fā)明內(nèi)容
本申請?zhí)峁┝艘环N用于芯片管腳的電路,用于釋放芯片管腳上的電壓,保護芯片中的電子器件不被損壞。
第一方面,本申請?zhí)峁┝艘环N用于芯片管腳的電路,包括:第一晶體管、第二晶體管、第一子電路、第二子電路和第三子電路;所述第一晶體管的第一極與所述第二晶體管的第一極連接并進一步連接至芯片管腳,所述第一晶體管的第二極連接至電源正極,所述第二晶體管的第二極連接至電源負極;所述第一子電路連接于所述電源正極和所述電源負極之間,所述第一子電路連接至所述第一晶體管的第三極和所述第二晶體管的第三極,用于控制所述第一晶體管和所述第二晶體管向所述芯片管腳輸出高電平信號或低電平信號;所述第二子電路連接于所述電源正極與所述芯片管腳之間,用于阻止所述芯片管腳上的正電壓被釋放到所述電源正極;所述第三子電路連接于所述芯片管腳和所述電源負極之間,用于將所述芯片管腳上的所述正電壓釋放到所述電源負極。
從以上技術方案中,可以看出本申請具有以下優(yōu)點:在第二子電路阻止芯片管腳上的正電壓釋放到電源正極,減小對電源正極的不良影響,同時,正電壓通過第三子電路釋放到電源負極,為芯片管腳上的正電壓提供泄電通道,以保護電子器件,如第一晶體管或第二晶體管,不被正電壓所損壞,從而降低芯片在生產(chǎn)、測試或使用過程中的失效率。
結合第一方面,在第一方面的第一種可能的實現(xiàn)方式中,所述第一晶體管為P溝道金屬氧化物半導體(positive channel metal oxide semiconductor,PMOS)晶體管,所述第二晶體管為N溝道金屬氧化物半導體(negative channel metal oxide semiconductor,NMOS)晶體管,所述第一晶體管的第一極和所述第二晶體管的第一極是漏極,所述第一晶體管的第二極和所述第二晶體管的第二極是源極,所述第一晶體管的第三極和所述第二晶體管的第三極是柵極。
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